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1. (WO2008129534) LECTURE DYNAMIQUE ADAPTIVE DE MÉMOIRES FLASH
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129534    N° de la demande internationale :    PCT/IL2008/000507
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 14.04.2008
CIB :
G11C 16/28 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : SANDISK IL LTD. [IL/IL]; 7 Atir Yeda St., 44643 Kfar Saba (IL) (Tous Sauf US).
SHARON, Eran [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
ALROD, Idan [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
SHLICK, Marc [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : SHARON, Eran; (IL).
ALROD, Idan; (IL).
SHLICK, Marc; (IL)
Mandataire : FRIEDMAN, Mark; 7 Jabotinsky St., 52520 Ramat Gan (IL)
Données relatives à la priorité :
60/913,299 23.04.2007 US
11/941,946 18.11.2007 US
Titre (EN) ADAPTIVE DYNAMIC READING OF FLASH MEMORIES
(FR) LECTURE DYNAMIQUE ADAPTIVE DE MÉMOIRES FLASH
Abrégé : front page image
(EN)Each of a plurality of flash memory cells is programmed to a respective one of L≥2 threshold voltage states within a threshold voltage window. A histogram is constructed by determining how many of some or all of the cells have threshold voltages in each of two or more of m≥2 threshold voltage intervals within the threshold voltage window. Reference voltages for reading the cells are selected based on estimated values of shape parameters of the histogram. Alternatively, the cells are read relative to reference voltages that define m≥2 threshold voltage intervals that span the threshold voltage window, to determine numbers of at least a portion of the cells whose threshold voltages are in each of two or more of the threshold voltage intervals. Respective threshold voltage states are assigned to the cells based on the numbers without re-reading the cells.
(FR)Chacune des cellules de mémoire d'une pluralité de cellules de mémoire flash est programmée par rapport à l'un des états de tension seuil L ≥ 2 respectif à l'intérieur d'une fenêtre de tension seuil. Un histogramme est construit par détermination du nombre de cellules présentant des tensions seuil dans chacun d'au moins deux intervalles de tension seuil m ≥ 2 compris dans la fenêtre de tension seuil ou de l'ensemble de ces cellules. Des tensions de référence pour lire les cellules sont sélectionnées sur la base de valeurs estimées de paramètres de forme de l'histogramme. En variante, les cellules sont lues par rapport à des tensions de référence qui définissent des intervalles de tension seuil m ≥ 2 qui couvrent la fenêtre de tension de seuil, pour déterminer le nombre d'au moins une partie des cellules dont les tensions seuil se trouvent dans chacun d'au moins deux intervalles de tension seuil. Des états de tension seuil respectifs sont affectés aux cellules sur la base du nombre de cellules sans relire les cellules suivantes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)