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1. (WO2008129525) MATÉRIAU D'INTERFACE THERMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129525    N° de la demande internationale :    PCT/IE2008/000047
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 23.04.2008
CIB :
H01L 23/373 (2006.01), C08K 7/02 (2006.01), C08K 9/02 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY COLLEGE CORK - NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND, CORK [IE/IE]; College Road, Cork (IE) (Tous Sauf US).
RAZEEB, Kafil, M. [BD/IE]; (IE) (US Seulement).
ROY, Saibal [IN/IE]; (IE) (US Seulement).
ROHAN, James, Francis [IE/IE]; (IE) (US Seulement).
NAGLE, Lorraine, Christine [IE/IE]; (IE) (US Seulement)
Inventeurs : RAZEEB, Kafil, M.; (IE).
ROY, Saibal; (IE).
ROHAN, James, Francis; (IE).
NAGLE, Lorraine, Christine; (IE)
Mandataire : O'BRIEN, John, A.; c/o John A. O'Brien & Associates, Third Floor, Duncairn House, 14 Carysfort Avenue, Blackrock, County Dublin (IE)
Données relatives à la priorité :
2007/0298 23.04.2007 IE
2008/0135 22.02.2008 IE
Titre (EN) A THERMAL INTERFACE MATERIAL
(FR) MATÉRIAU D'INTERFACE THERMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A thermal interface material (1) comprises a bulk polymer (2) within which is embedded sub-micron (c. 200 to 220nm) composite material wires (3) having Ag and carbon nanotubes ('CNTs') 4. The CNTs are embedded in the axial direction and have diameters in the range of 9.5 to 10nm and have a length of about 0.7&mgr;m. In general the pore diameter can be in the range of 40 to 1200 nm. The material (1) has particularly good thermal conductivity because the wires (3) give excellent directionality to the nanotubes (4) - providing very low resistance heat transfer paths. The TIM is best suited for use between semiconductor devices (e.g. power semiconductor chip) and any type of thermal management systems for efficient removal of heat from the device.
(FR)L'invention concerne un matériau d'interface thermique (1) qui comprend un polymère en masse (2) à l'intérieur duquel sont noyés des fils de matériau composite sub-micronique (c. 200 à 220 nm) (3) ayant des nanotubes d'Ag et de carbone (« CNT ») 4. Les CNT sont noyés dans la direction axiale et ont des diamètres dans la plage de 9,5 à 10 nm et ont une longueur d'environ 0,7 µm. En général, le diamètre de pore peut être dans la plage de 40 à 1200 nm. Le matériau (1) a une conductivité thermique particulièrement en raison du fait que les fils (3) donnent un caractère directionnel excellent aux nanotubes (4) - fournissant des trajets de transfert thermique à très faible résistance. Le TIM est le plus approprié pour une utilisation entre des dispositifs semiconducteurs (par exemple, une puce semiconductrice de puissance) et tout type de système de gestion thermique pour une extraction efficace de chaleur du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)