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1. (WO2008129091) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DOSIMÉTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129091    N° de la demande internationale :    PCT/ES2008/000223
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 10.04.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.02.2009    
CIB :
G01T 1/24 (2006.01)
Déposants : UNIVERSIDAD DE GRANADA [ES/ES]; Hospital Real, Cuesta del Hospicio, s/n, 18071 Granada (ES) (Tous Sauf US).
PALMA LÓPEZ, Alberto Josa [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
CARVAJAL RODRIGUEZ, Miguel Ángel [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
ASENSIO MORCILLO, Luis Javier [ES/ES]; (ES) (US Seulement)
Inventeurs : PALMA LÓPEZ, Alberto Josa; (ES).
CARVAJAL RODRIGUEZ, Miguel Ángel; (ES).
ASENSIO MORCILLO, Luis Javier; (ES)
Mandataire : CARVAJAL Y URQUIJO,.lsabel; c/o CLARKE, MODET & CO., c/ Goya, 11, 28001 MADRID (ES)
Données relatives à la priorité :
P200701185 24.04.2007 ES
Titre (EN) DOSIMETRIC METHOD AND SYSTEM
(ES) SISTEMA Y MÉTODO DOSIMÉTRICO
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DOSIMÉTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a dosimetric system comprising: a self-contained, portable measuring instrument (2) and a plurality of P-channel MOSFET sensors (3). According to the invention, in the pMOS transistor, the ionising radiation incident on the transistor causes an increase in the threshold voltage of said transistor. Said increase is measured and associated with the radiation dose received.
(ES)Sistema dosimétrico, que comprende: - un instrumento portátil y autónomo de medida (2); - una pluralidad de sensores MDSFET de canal P (3); Donde en el transistor pMOS la radiación ionizante que incide sobré e transistor causa un incremento de la tensión umbral de dicho transistor. Est incremento es medido y relacionado con la dosis de radiación recibida.
(FR)Cette invention concerne un système dosimétrique comprenant un instrument de mesure (2) portable et autonome; plusieurs capteurs MOSFET à canal P (3). Selon le mode de réalisation décrit dans cette invention, dans le transistor pMOS, le rayonnement ionisant qui tombe sur le transistor provoque une augmentation de la tension seuil dudit transistor. Cette augmentation est mesurée et associée à la dose de rayonnement reçue.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : espagnol (ES)
Langue de dépôt : espagnol (ES)