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1. (WO2008128897) SUBSTRATS HYBRIDES ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE TELS SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/128897    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/054306
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 09.04.2008
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour, Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
CANNON, Ethan, Harrison [US/US]; (US) (US Seulement).
FURUKAWA, Toshiharu [JP/US]; (US) (US Seulement).
GAUDIELLO, John, Gerard [US/US]; (US) (US Seulement).
HAKEY, Mark, Charles [US/US]; (US) (US Seulement).
HOLMES, Steven, John [US/US]; (US) (US Seulement).
HORAK, David, Vaclav [US/US]; (US) (US Seulement).
KOBURGER III, Charles, William [US/US]; (US) (US Seulement).
MANDELMAN, Jack, Allan [US/US]; (US) (US Seulement).
TONTI, William, Robert [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CANNON, Ethan, Harrison; (US).
FURUKAWA, Toshiharu; (US).
GAUDIELLO, John, Gerard; (US).
HAKEY, Mark, Charles; (US).
HOLMES, Steven, John; (US).
HORAK, David, Vaclav; (US).
KOBURGER III, Charles, William; (US).
MANDELMAN, Jack, Allan; (US).
TONTI, William, Robert; (US)
Mandataire : LITHERLAND, David, Peter; IBM United Kingdom Limited, Intellectual Property Law, Hursley Park, Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
11/737,989 20.04.2007 US
11/877,871 24.10.2007 US
Titre (EN) HYBRID SUBSTRATES AND METHODS FOR FORMING SUCH HYBRID SUBSTRATES
(FR) SUBSTRATS HYBRIDES ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE TELS SUBSTRATS
Abrégé : front page image
(EN)Hybrid substrates characterized by semiconductor islands of different crystal orientations and methods of forming such hybrid substrates. The methods involve using a SIMOX process to form an insulating layer. The insulating layer may divide the islands of at least one of the different crystal orientations into mutually aligned device and body regions. The body regions may be electrically floating relative to the device regions.
(FR)L'invention concerne des substrats hybrides caractérisés par des îlots semi-conducteurs présentant diverses orientations cristallines, ainsi que des procédés pour former de tels substrats hybrides. Les procédés impliquent d'utiliser un procédé SIMOX pour former une couche isolante. La couche isolante peut diviser les îlots présentant l'une au moins des différentes orientations cristallines en des régions formant dispositif et des régions formant corps alignées les unes par rapport aux autres. Les régions formant corps peuvent être électriquement flottantes par rapport aux régions formant dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)