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1. (WO2008128519) HALOGÉNURES ET/OU PSEUDOHALOGÉNURES ÉLÉMENTS DES GROUPES PRINCIPAUX, SUBSTITUÉS ARYLE ET/OU HÉTÉROARYLE, UTILISATION D'HALOGÉNURES ET/OU DE PSEUDOHALOGÉNURES ÉLÉMENTS DES GROUPES PRINCIPAUX, MATÉRIAU ORGANIQUE SEMICONDUCTEUR DE MATRICE, COMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/128519    N° de la demande internationale :    PCT/DE2008/000645
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 16.04.2008
CIB :
C07F 9/92 (2006.01), C09K 11/00 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01), H05B 33/00 (2006.01)
Déposants : NOVALED AG [DE/DE]; Tatzberg 49, 01307 Dresden (DE) (Tous Sauf US).
ZEIKA, Olaf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LIMMERT, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WILLMANN, Steffen [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ZEIKA, Olaf; (DE).
LIMMERT, Michael; (DE).
WILLMANN, Steffen; (DE)
Mandataire : BITTNER, Thomas, L.; Boehmert & Boehmert, Hollerallee 32, 28209 Bremen (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2007 018 456.7 19.04.2007 DE
Titre (DE) ARYL- UND/ODER HETEROARYL-SUBSTITUIERTE HAUPTGRUPPENELEMENTHALOGENIDE UND/ODER -PSEUDOHALOGENIDE, VERWENDUNG VON HAUPTGRUPPENELEMENTHALOGENIDEN UND/ODER -PSEUDOHALOGENIDEN, ORGANISCHES HALBLEITENDES MATRIXMATERIAL, ELEKTRONISCHE UND OPTOELEKTRONISCHE BAUELEMENTE
(EN) ARYL-SUBSTITUTED AND/OR HETEROARYL-SUBSTITUTED MAIN GROUP ELEMENT HALIDES AND/OR PSEUDOHALIDES, USE OF MAIN GROUP ELEMENT HALIDES AND/OR PSEUDOHALIDES, ORGANIC SEMICONDUCTING MATRIX MATERIAL, ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC COMPONENTS
(FR) HALOGÉNURES ET/OU PSEUDOHALOGÉNURES ÉLÉMENTS DES GROUPES PRINCIPAUX, SUBSTITUÉS ARYLE ET/OU HÉTÉROARYLE, UTILISATION D'HALOGÉNURES ET/OU DE PSEUDOHALOGÉNURES ÉLÉMENTS DES GROUPES PRINCIPAUX, MATÉRIAU ORGANIQUE SEMICONDUCTEUR DE MATRICE, COMP
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft Aryl- und/oder Heteroaryl-substituierte Hauptgruppenelementhalogenide und/oder -pseudohalogenide, die Verwendung von Hauptgruppenelementhalogeniden und -pseudohalogeniden als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, als Ladungsinjektionsschicht, als Löcherblockerschicht, als Elektrodenmaterial, als Transportmaterial selbst, als Speichermaterial in elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen, sowie ein organisches halbleitendes Material und elektronische oder optoelektronische Bauelemente.
(EN)The invention relates to aryl-substituted and/or heteroaryl-substituted main group element halides and/or pseudohalides, the use of main group element halides and pseudohalides as dopants for doping an organic semiconducting matrix material, as a charge injection layer, as a hole blocker layer, as electrode material, as transport material, and as storage material in electronic or optoelectronic components. The invention further relates to an organic semiconducting material as well as electronic or optoelectronic components.
(FR)L'invention concerne des halogénures et/ou pseudohalogénures éléments des groupes principaux, substitués aryle et/ou hétéroaryle, l'utilisation d'halogénures et/ou de pseudohalogénures éléments des groupes principaux comme dopants pour doper un matériau organique semiconducteur de matrice, comme couche d'injection de charge, comme couche de blocage de trous, comme matériau d'électrode, comme matériau de transport, comme matériau de stockage dans des composants électroniques ou optoélectroniques. L'invention porte également sur un matériau organique semiconducteur et sur des composants électroniques ou optoélectroniques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)