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1. (WO2008128160) HEMT BASÉ SUR DES STRUCTURES SI/NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/128160    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/060200
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 14.04.2008
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02138 (US) (Tous Sauf US).
PALACIOS, Tomas [--/US]; (US) (US Seulement).
CHUNG, Jinwook [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PALACIOS, Tomas; (US).
CHUNG, Jinwook; (US)
Mandataire : CONNORS, Matthew, E.; Gauthier & Connors LLP, 225 Franklin Street, Suite 2300, Boston, MA 02110 (US)
Données relatives à la priorité :
60/923,094 12.04.2007 US
Titre (EN) HEMTS BASED ON SI/NITRIDE STRUCTURES
(FR) HEMT BASÉ SUR DES STRUCTURES SI/NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)A transistor device includes a substrate. A buffer region is positioned on the substrate. A GaN/ AlGaN layer is positioned on the buffer region.
(FR)Dans la présente invention, un transistor comprend un substrat. Une région tampon est positionnée sur le substrat et une couche GaN/ AlGaN est positionnée sur la région tampon.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)