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1. (WO2008128141) PRÉCURSEURS DE ZIRCONIUM, D'HAFNIUM, DE TITANE ET DE SILICIUM POUR ALD/CVD
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/128141    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/060162
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 13.04.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.02.2009    
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/00 (2006.01), C07F 7/00 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810-4169 (US) (Tous Sauf US).
XU, Chongying [US/US]; (US) (US Seulement).
ROEDER, Jeffrey, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Tianniu [CN/US]; (US) (US Seulement).
HENDRIX, Bryan, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
BENAC, Brian [US/US]; (US) (US Seulement).
CAMERON, Thomas, M. [CA/US]; (US) (US Seulement).
PETERS, David, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
STAUF, Gregory, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
MAYLOTT, Leah [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XU, Chongying; (US).
ROEDER, Jeffrey, F.; (US).
CHEN, Tianniu; (US).
HENDRIX, Bryan, C.; (US).
BENAC, Brian; (US).
CAMERON, Thomas, M.; (US).
PETERS, David, W.; (US).
STAUF, Gregory, T.; (US).
MAYLOTT, Leah; (US)
Mandataire : HULTQUIST, Steven, J.; Intellectual Property/Technology Law, P.O.Box 14329, Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
60/911,296 12.04.2007 US
60/977,083 02.10.2007 US
60/981,020 18.10.2007 US
Titre (EN) ZIRCONIUM, HAFNUIM, TITANIUM, AND SILICON PRECURSORS FOR ALD/CVD
(FR) PRÉCURSEURS DE ZIRCONIUM, D'HAFNIUM, DE TITANE ET DE SILICIUM POUR ALD/CVD
Abrégé : front page image
(EN)Zirconium, hafnium, titanium and silicon precursors useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of corresponding zirconium-containing, hafnium- containing, titanium-containing and silicon-containing films, respectively. The disclosed precursors achieve highly conformal deposited films characterized by minimal carbon incorporation.
(FR)L'invention concerne des précurseurs de zirconium, d'hafnium, de titane et de silicium utiles pour le dépôt de couches atomiques (ALD) et le dépôt en phase vapeur chimique (CVD) de films contenant du zirconium, contenant de l'hafnium, contenant du titane et contenant du silicium correspondant, respectivement. Les précurseurs décrits atteignent des films déposés extrêmement conformes caractérisés par une incorporation de carbone minimale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)