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1. (WO2008128039) IMPLANTATION D'AGRÉGATS IONIQUES POUR L'INGÉNIERIE DES DÉFAUTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/128039    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/060029
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 11.04.2008
CIB :
H01L 21/425 (2006.01)
Déposants : SEMEQUIP, INC. [US/US]; 34 Sullivan Road, North Billerica, MA 01821 (US) (Tous Sauf US).
KRULL, Wade, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
JACOBSON, Dale, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
SEKAR, Karuppanan [IN/US]; (US) (US Seulement).
HORSKY, Thomas, N. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KRULL, Wade, A.; (US).
JACOBSON, Dale, C.; (US).
SEKAR, Karuppanan; (US).
HORSKY, Thomas, N.; (US)
Mandataire : PANIAGUAS, John, S.; Katten Muchin Rosenman LLP, 1025 Thomas Jefferson Street, N.W., East Lobby: Suite 700, Washington, DC 20007 (US)
Données relatives à la priorité :
60/922,826 11.04.2007 US
Titre (EN) CLUSTER ION IMPLANTATION FOR DEFECT ENGINEERING
(FR) IMPLANTATION D'AGRÉGATS IONIQUES POUR L'INGÉNIERIE DES DÉFAUTS
Abrégé : front page image
(EN)A method of semiconductor manufacturing is disclosed in which doping is accomplished by the implantation of ion beams formed from ionized molecules, and more particularly to a method in which molecular and cluster dopant ions are implanted into a substrate with and without a co-implant of non-dopant cluster ion, such as a carbon cluster ion, wherein the dopant ion is implanted into the amorphous layer created by the co-implant in order to reduce defects in the crystalline structure, thus reducing the leakage current and improving performance of the semiconductor junctions Dopant ion compounds of the form AnHx+ and AnRzHx+ are used in order to minimize crystal defects as a result of ion implantation
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de semi-conducteur dans lequel le dopage est réalisé par l'implantation de faisceaux ioniques formés à partir de molécules ionisées. L'invention concerne plus particulièrement un procédé dans lequel des ions dopants sous forme moléculaire ou d'agrégat sont implantés dans un substrat avec et sans co-implantation d'agrégat ionique non dopant, tel qu'un agrégat ionique de carbone, l'ion dopant étant implanté dans la couche amorphe créée par la co-implantation afin de réduire les défauts de la structure cristalline, pour ainsi réduire le courant de fuite et améliorer la performance des jonctions du semi-conducteur. Des composés ioniques dopants de formules AnHx+ et AnR2Hx+ sont utilisés afin de minimiser les défauts cristallins résultant de l'implantation ionique. Ces composés comprennent des co-implants d'agrégats de carbone avec des implants de dopants monomères ou en agrégat ou simplement des agrégats de dopants pour implantation. En particulier, l'invention concerne un procédé consistant à implanter tout d'abord des agrégats de carbone dans des tranches de semi-conducteur puis des implants de bore, de phosphore ou d'arsenic, ou des implants d'agrégats de dopants à base de bore, de phosphore ou d'arsenic. La forme chimique des agrégats ioniques moléculaires est AnHx+ ou AnR2Hx+, A désignant le dopant ou les atomes de carbone, n et x étant des nombres entiers avec n supérieur ou égal à 4 et x supérieur ou égal à 0, et R étant une molécule contenant des atomes compatibles avec le procédé d'implantation quand ils sont implantés (par exemple, Si, Ge, F, H ou C). Ces ions sont produits à partir de composés chimiques de formule AbL2Hn, dans laquelle la formule chimique de L2 contient R, b peut être un nombre entier différent de n, m peut être un nombre entier différent de x et z est un nombre entier supérieur ou égal à zéro.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)