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1. (WO2008128007) JFET À FAIBLE BRUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/128007    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059973
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 11.04.2008
CIB :
H01L 29/80 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474 Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
HAO, Pinghai [US/US]; (US) (US Seulement).
KHAN, Imran [US/US]; (US) (US Seulement).
TROGOLO, Joe [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HAO, Pinghai; (US).
KHAN, Imran; (US).
TROGOLO, Joe; (US)
Mandataire : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED; FRANZ, Warren, L. Deputy General Patent Counsel P.O. Box 655474, M/S 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/733,816 11.04.2007 US
Titre (EN) LOW NOISE JFET
(FR) JFET À FAIBLE BRUIT
Abrégé : front page image
(EN)A low noise (1/f) junction field effect transistor (JFET) and method are disclosed. A buried layer of first conductivity type is formed in a substrate (102). An epitaxial layer of second conductivity type is formed over the substrate (103). First well regions of first conductivity type are formed in the epitaxial layer down to the bottom gate (106); and a second well region of second conductivity type is formed between the first well regions (108). Isolation regions are formed in the surface of the epitaxial layer (110). A first Vt region of first conductivity type is formed in the second well region between first and second isolation regions (112); and a second Vt region of second conductivity type is formed in the first Vt region (114), the first Vt region being deeper than the second Vt region. A source region and a drain region of first conductivity type are formed in the first Vt region (118).
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ à jonction (JFET) à faible bruit (1/f) et un procédé. Une couche enterrée d'un premier type de conductivité est formée dans un substrat (102). Une couche épitaxiale d'un second type de conductivité est formée sur le substrat (103). Des premières zones de puits du premier type de conductivité sont formées dans la couche épitaxiale jusqu'à l'attaque en source (106); et une seconde zone de puits du second type de conductivité est formée entre les premières zones de puits (108). Des zones d'isolation sont formées à la surface de la couche épitaxiale (110). Une première zone Vt du premier type de conductivité est formée dans la seconde zone de puits entre les première et seconde zones d'isolation (112); et une seconde zone Vt du second type de conductivité est formée dans la première zone Vt (114), la première zone Vt étant plus profonde que la seconde zone Vt. Une zone de source et une zone de drain du premier type de conductivité sont formées dans la première zone Vt (118).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)