WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008127970) MATÉRIAUX DE CIRCUIT, CIRCUITS MULTICOUCHE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/127970    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059869
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 10.04.2008
CIB :
H05K 3/46 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01)
Déposants : WORLD PROPERTIES, INC. [US/US]; 7366 North Lincoln Avenue, Suite 410, Lincolnwood, IL 60712 (US) (Tous Sauf US).
KENNEDY, Scott, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KENNEDY, Scott, D.; (US)
Mandataire : REIMER, Leah, M.; Cantor Colburn Llp, 20 Church Street, 22nd Floor, Hartford, CT 06103-3207 (US)
Données relatives à la priorité :
60/911,164 11.04.2007 US
Titre (EN) CIRCUIT MATERIALS, MULTILAYER CIRCUITS, AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) MATÉRIAUX DE CIRCUIT, CIRCUITS MULTICOUCHE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)A circuit assembly (110) comprises two or more circuit laminates (112, 118), each comprising a conductive metal layer (116, 122, 124) disposed on a poly(arylene ether ketone) substrate layer, wherein at least one of the conductive metal layers has been patterned to form a circuit, and a bond ply layer (126) comprising a thermoplastic or thermosetting material. The thermoplastic bond ply has a melting point between 250°C and 37O°C, a decomposition temperature greater than about 290°C and a dissipation factor of less than 0.01 at 10 GHz. The thermoset bond ply has a dissipation factor les than 0.01 at 10 GHz and a decomposition temperature greater than about 2900C after lamination. Methods of forming the above circuit assemblies are also disclosed.
(FR)Un assemblage de circuit comprend au moins deux stratifiés de circuit, chacun comprenant une couche de métal conducteur disposée sur une couche de substrat de poly(arylène-éther-cétone), au moins l'une des couches de métal conducteur ayant été modélisée pour former un circuit, et une couche de complexage comprenant un matériau thermoplastique ou thermodurcissable. La couche de complexage thermoplastique a un point de fusion situé entre 250° C et 370°C, une température de décomposition supérieure à environ 290°C et un facteur de dissipation inférieur à 0,01 à 10 GHz. Le complexage thermodurci a un facteur de dissipation inférieur à 0,01 à 10 GHz et une température de décomposition supérieure à environ 290°C après stratification. La présente invention concerne également des procédés de formation des assemblages de circuit décrits ci-dessus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)