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1. (WO2008127860) CONCEPTS DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEUR COMPLÉMENTAIRE À L'OXYDE DE MÉTAL ET PROCÉDÉS DE FONCTIONNEMENT DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/127860    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058527
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 27.03.2008
CIB :
H03F 1/14 (2006.01), H03F 1/52 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM Incorporated [US/US]; ATTN: International IP Administration, 5775 Morehouse Drive, San Diego, California 92121-1714 (US) (Tous Sauf US).
MIAO, Guoqing [CN/US]; (US) (US Seulement).
BAZARJANI, Seyfollah [CA/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MIAO, Guoqing; (US).
BAZARJANI, Seyfollah; (US)
Mandataire : MOSKOWITZ, Larry J.; Attn: International Ip Administration, 5775 Morehouse Drive, San Diego, California 92121-1714 (US)
Données relatives à la priorité :
60/909,409 30.03.2007 US
12/056,137 26.03.2008 US
Titre (EN) METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CIRCUIT DESIGNS AND METHODS FOR OPERATING SAME
(FR) CONCEPTS DE CIRCUIT INTÉGRÉ À SEMI-CONDUCTEUR COMPLÉMENTAIRE À L'OXYDE DE MÉTAL ET PROCÉDÉS DE FONCTIONNEMENT DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)Complimentary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) circuits made with core transistors are capable of reliable operation from an IO power supply with voltage that exceeds the reliability limit of the transistors. In embodiments, biasing of an operational amplifier is changed in part to a fixed voltage corresponding to the reliability limit. In embodiments, switched capacitor networks are made with one or more amplifiers and switches including core transistors, but without exposing the core transistors to voltages in excess of their reliability limit. In embodiments, operational transconductance amplifiers (OTAs) include core transistors and operate from IO power supplies. Level shifters for shifting the levels of a power down signal may be used to avoid excessive voltage stress of the OTAs' core transistors during turn-off. Non-level shifting means may be used to clamp output voltages and selected internal voltages of the OTAs, also avoiding excessive voltage stress of the core transistors during turn-off.
(FR)La présente invention concerne des circuits intégrés à semi-conducteur complémentaires à l'oxyde de métal (CMOS) formés de transistors à noyau capables de fonctionner de façon fiable à partir d'une alimentation d'entrée/sortie avec une tension qui dépasse la limite de fiabilité des transistors. Selon certains modes de réalisation de la présente invention, la polarisation d'un amplificateur opérationnel est modifiée en partie sur une tension fixe correspondant à la limite de fiabilité. Selon certains modes de réalisation de la présente invention, des réseaux à commutation de condensateur sont constitués d'un ou plusieurs amplificateurs et commutateurs, notamment des transistors à noyau, mais sans exposer les transistors à noyau à des tensions dépassant leur limite de fiabilité. Selon les modes de réalisation de la présente invention, des amplificateurs de transconductance opérationnels (OTA) comprennent des transistors à noyau et fonctionnent à partir d'alimentation d'entrée/sortie. Des dispositifs de décalage destinés à décaler les niveaux d'un signal d'alimentation de veille peuvent être utilisés pour éviter une tension excessive des transistors à noyau des OTA pendant le blocage. Un moyen de non-décalage de niveau peut être utilisé pour clamper les tensions de sortie et les tensions internes sélectionnées des OTA, ce qui évite également une tension excessive des transistors à noyau pendant le blocage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)