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1. (WO2008127628) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE MÉMOIRE DAMASQUINÉE À AUTO-ALIGNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/127628    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/004665
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 10.04.2008
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D, LLC [US/US]; 601 McCarthy Blvd., Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
HSIA, Kang-Jay [--/US]; (US) (US Seulement).
LI, Calvin [US/US]; (US) (US Seulement).
PETTI, Christopher [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HSIA, Kang-Jay; (US).
LI, Calvin; (US).
PETTI, Christopher; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian, M.; Dugan & Dugan, PC, 245 Saw Mill River Road, Suite 309, Hawthorne, NY 10532 (US)
Données relatives à la priorité :
11/786,620 12.04.2007 US
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING A SELF-ALIGNING DAMASCENE MEMORY STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE MÉMOIRE DAMASQUINÉE À AUTO-ALIGNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a three-dimensional, non-volatile memory array utilizing damascene fabrication techniques is disclosed. A bottom set of conductors is formed and a set of first pillar shaped elements of heavily doped semiconductor material as formed thereon. A mold is formed of insulating material having pillar shaped openings self- aligned with the first pillar shaped elements and a second semiconductor is deposited over the mold to form second pillar shaped elements aligned with the first pillar shaped elements. The pillar elements formed may be further processed by forming another mold of insulating material having trench openings aligned with the pillar shaped elements and then filling the trenches with conductive material to form conductors coupled to the pillar shaped elements.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un réseau de mémoire non volatile tridimensionnel à l'aide de techniques de fabrication de damasquinage. Un ensemble de base de conducteurs est formé et un ensemble de premiers éléments en forme de piliers constitué d'un matériau semi-conducteur lourdement dopé est formé sur celui-ci. Un moule est formé à partir d'un matériau isolant comportant des ouvertures en forme de pilier auto-alignées avec les premiers éléments en forme de piliers et un second semi-conducteur est déposé sur le moule pour former les seconds éléments en forme de piliers alignés avec les premiers éléments en forme de piliers. Les éléments de piliers formés peuvent être également traités par la formation d'un autre moule de matériau isolant ayant des ouvertures en tranchée alignées avec les éléments en forme de piliers, puis le remplissage des tranchées avec un matériau conducteur pour former des conducteurs couplés aux éléments en forme de piliers.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)