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1. (WO2008127576) PASSIVATION PAR OXYNITRURE DE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/127576    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/004450
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 04.04.2008
CIB :
H01L 31/0216 (2006.01)
Déposants : SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 3939 North First Street, San Jose, California 95134 (US) (Tous Sauf US).
STONE, Charles [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : STONE, Charles; (US)
Mandataire : OKAMOTO, James K; Okamoto & Benedicto LLP, P.O. Box 641330, San Jose, California 95164-1330 (US)
Données relatives à la priorité :
11/786,916 12.04.2007 US
Titre (EN) OXYNITRIDE PASSIVATION OF SOLAR CELL
(FR) PASSIVATION PAR OXYNITRURE DE CELLULE SOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment relates to a structure for a solar cell. The structure includes a silicon substrate with P-type and N-type active diffusion regions therein. An oxynitride passivation layer (402) is included at least over the P-type (304) and N-type (302) active diffusion regions. The structure further includes contact openings (502) through the oxynitride passivation layer (402) to the P-type (304) and N-type (302) active diffusion regions, and metal grid lines (702 and 704) which selectively contact the P-type (304) and N-type (302) active diffusion regions by way of the contact openings (502). Another embodiment relates to a method of fabricating a solar cell. Other embodiments, aspects and features are also disclosed.
(FR)La présente invention concerne dans un mode de réalisation, une structure de cellule solaire. Cette structure comprend un substrat en silicium comprenant à l'intérieur des régions de diffusion de type P et de type N. Une couche de passivation d'oxynitrure (402) est comprise au moins sur les régions de diffusion actives de type P (304) et de type N (302). La structure comprend en outre des ouvertures de contact (502) à travers la couche de passivation d'oxynitrure (402) vers les régions de diffusion active de type P (304) et de type N (302), et un quadrillage métallique (702 et 704) qui contacte de manière sélective les régions de diffusion active de type P (304) et de type N (302) par le biais des ouvertures de contact (502). La présente invention concerne dans un autre mode de réalisation, un procédé de fabrication de cellule solaire. D'autres modes de réalisation, aspects et fonctionnalités sont également présentées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)