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1. (WO2008127314) CAPTEURS À NANOFIL À HAUTE SENSIBILITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/127314    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/024126
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 19.11.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.12.2008    
CIB :
G01N 27/414 (2006.01)
Déposants : PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE [US/US]; 17 Quincy Street, Cambridge, MA 02138 (US) (Tous Sauf US).
LIEBER, Charles, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
GAO, Xuan, P.a. [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHENG, Gengfeng [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIEBER, Charles, M.; (US).
GAO, Xuan, P.a.; (US).
ZHENG, Gengfeng; (US)
Mandataire : OYER, Timothy, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C., Federal Reserve Plaza, 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210-2206 (US)
Données relatives à la priorité :
60/860,586 22.11.2006 US
Titre (EN) HIGH-SENSITIVITY NANOSCALE WIRE SENSORS
(FR) CAPTEURS À NANOFIL À HAUTE SENSIBILITÉ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention generally relates to nanoscale wire devices and methods for use in determining analytes suspected to be present in a sample. The invention provides a nanoscale wire that has improved sensitivity, as the carrier concentration in the wire is controlled by an external gate voltage, such that the nanoscale wire has a Debye screening length that is greater than the average cross- sectional dimension of the nanoscale wire when the nanoscale wire is exposed to a solution suspected of containing an analyte. This Debye screening length ( lambda) associated with the carrier concentration (p) inside nanoscale wire is adjusted by adjusting the gate voltage applied to an FET structure, such that the carriers in the nanoscale wire are depleted.
(FR)Divers aspects de la présente invention concernent de façon générale les dispositifs à nanofil et les procédés destinés à être utilisés pour déterminer des substances à analyser supposées être contenues dans un échantillon. Un aspect de l'invention concerne un nanofil qui présente une sensibilité accrue, par exemple à mesure que la concentration de courant porteur dans le fil est régulée par une tension de grille externe, et, dans certains modes de réalisation, le nanofil peut être utilisé pour déterminer une variation de charge de moins de 10'17 C environ. Dans certains cas, le nanofil peut faire partie d'un transistor à effet de champ (FET). Dans une série de modes de réalisation, le nanofil présente une longueur de Debye de criblage qui est supérieure à la dimension moyenne en coupe transversale du nanofil quand le nanofil est exposé à une solution supposée contenir une substance à analyser. Dans certains cas, la longueur de Debye de criblage associée aux courants porteurs à l'intérieur du nanofil peut être ajustée en adaptant la tension, par exemple une tension de grille appliquée à une structure de FET. Dans certains cas, le nanofil peut être activé dans des conditions dans lesquelles les courants porteurs dans le nanofil sont appauvris et le nanofil a une conductance qui n'est pas linéairement proportionnelle à la tension appliquée au dispositif capteur à nanofil, par exemple via une électrode de grille. D'autres aspects de l'invention concernent des analyses, des capteurs, des équipements et/ou d'autres dispositifs qui comprennent de tels nanofils, des procédés de fabrication et/ou d'utilisation de nanofils fonctionnalisés (par exemple pour le criblage de médicaments ou le criblage à haut débit), etc.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)