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1. (WO2008127120) PROCÉDÉ ET ÉQUIPEMENT PERMETTANT LA RÉACTION DE TÉTRACHLORURE DE SILICIUM AVEC DU ZINC POUR PRODUIRE DU CHLORURE DE SILICIUM ET DE ZINC PUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/127120    N° de la demande internationale :    PCT/NO2008/000127
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 04.04.2008
CIB :
C01B 33/033 (2006.01), C22B 9/05 (2006.01), B01J 10/00 (2006.01)
Déposants : NORSK HYDRO ASA [NO/NO]; N-0240 OsLo (NO) (Tous Sauf US).
BAKKE, Per [NO/NO]; (NO) (US Seulement).
KRISTIANSEN, Kåre [NO/NO]; (NO) (US Seulement)
Inventeurs : BAKKE, Per; (NO).
KRISTIANSEN, Kåre; (NO)
Mandataire : HOFSETH, Svein; Patent and Trademark Department, Hydro Aluminium AS, N-0240 Oslo (NO)
Données relatives à la priorité :
20071852 11.04.2007 NO
Titre (EN) PROCESS AND EQUIPMENT FOR REACTING SILICON TETRACHLORIDE WITH ZINC TO PRODUCE PURE SILICON AND ZINC CHLORIDE
(FR) PROCÉDÉ ET ÉQUIPEMENT PERMETTANT LA RÉACTION DE TÉTRACHLORURE DE SILICIUM AVEC DU ZINC POUR PRODUIRE DU CHLORURE DE SILICIUM ET DE ZINC PUR
Abrégé : front page image
(EN)A process and equipment for reacting silicon tetrachloride with liquid zinc to produce silicon and zinc chloride the reaction taking place in a reactor (1 ). Silicon tetrachloride gas is injected continuously through one or more nozzles (7) into a flow of molten zinc (5) in a reaction zone (2) of the reactor where the temperature is above the melting temperature of zinc (>419°C) and below the boiling temperature of zinc chloride at 1 atmosphere pressure (732°C). The reaction products, silicon and zinc chloride are collected in a separation zone (3) from which they may be removed. Silicon with high purity is effectively and cheaply produced by the present inventive process and equipment.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un équipement permettant la réaction de tétrachlorure de silicium avec du zinc pour produire du chlorure de silicium et de zinc pur, la réaction s'effectuant dans un réacteur. Du gaz de tétrachlorure de silicium est injecté en continu à travers une ou des buses (7) dans un flux de zinc en fusion (5) dans une zone de réaction (2) du réacteur où la température est supérieure à la température de fusion du zinc (>419°C) et inférieure au la température d'ébullition du chlorure de zinc à une pression d'atmosphère 1 (732°C). Les produits réactionnels, du chlorure de silicium et de zinc sont recueillis dans une zone de séparation (3) à partir de laquelle ils peuvent être retirés. Le procédé et l'équipement selon la présente invention permet de produire efficacement et économiquement du silicium de haute pureté.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)