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1. (WO2008126821) COMPOSANT À SEMICONDUCTEUR AYANT UNE HÉTÉROJONCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/126821    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/056869
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 07.04.2008
CIB :
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO [JP/JP]; 41-1, Aza Yokomichi, Oaza Nagakute, Nagakute-cho, Aichi-gun, Aichi 4801192 (JP) (Tous Sauf US).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi Aichi 4718571 (JP) (Tous Sauf US).
UESUGI, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIGURO, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KACHI, Tetsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGIMOTO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UESUGI, Tsutomu; (JP).
ITO, Kenji; (JP).
ISHIGURO, Osamu; (JP).
KACHI, Tetsu; (JP).
SUGIMOTO, Masahiro; (JP)
Mandataire : KAI-U PATENT LAW FIRM; NISSEKI MEIEKI BUILDING 7F 45-14, Meieki 2-chome Nakamura-ku, Nagoya-shi Aichi 450-0002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-101346 09.04.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HETERO JUNCTION
(FR) COMPOSANT À SEMICONDUCTEUR AYANT UNE HÉTÉROJONCTION
(JA) へテロ接合を有する半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (10) is provided with a first hetero junction (40b) composed of nitride semiconductors of two types having different band gap widths; a second hetero junction (50b), which can be electrically connected to the first hetero junction (40b) and is composed of nitride semiconductors of two types having different band gap widths; and a gate electrode (58) facing the second hetero junction (50b). The first hetero junction (40b) is a c-plane, and the second hetero junction (50b) is an a-plane or an m-plane.
(FR)L'invention concerne un composant à semiconducteur (10) comprenant une première hétérojonction (40b) composée de semiconducteurs de nitrure de deux types présentant des largeurs de bandes interdites différentes, une seconde hétérojonction (50b) qui peut être reliée électriquement à la première hétérojonction (40b) et qui est composée de semiconducteurs de nitrure de deux types présentant des largeurs de bandes interdites différentes, ainsi qu'une électrode de grille (58) faisant face à la seconde hétérojonction (50b). La première hétérojonction (40b) est un plan C et la seconde hétérojonction (50b) est un plan A ou un plan M.
(JA) 半導体装置10は、バンドギャップの幅が異なる2種類の窒化物半導体で構成されている第1ヘテロ接合40bと、その第1ヘテロ接合40bに電気的に接続可能であるとともにバンドギャップの幅が異なる2種類の窒化物半導体で構成されている第2ヘテロ接合50bと、第2ヘテロ接合50bに対向しているゲート電極58を備えている。第1ヘテロ接合40bはc面であり、第2ヘテロ接合50bはa面又はm面である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)