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1. (WO2008126696) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/126696    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/056020
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 28.03.2008
CIB :
H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : Rohm Co., Ltd. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
HATA, Yasunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HATA, Yasunori; (JP)
Mandataire : YOSHIDA, Minoru; 2-32-1301, Tamatsukuri-motomachi Tennoji-ku, Osaka-shi Osaka 5430014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-099240 05.04.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light-emitting device (A) comprises a semiconductor light-emitting element (2) having a light-emitting layer (22), a lead (1) in which a reflector (11) surrounding the semiconductor light-emitting element (2) is formed, and a light-transmissive resin (4) covering the semiconductor light-emitting element (2). The lead (1) has a recess (12) formed in the bottom surface of the reflector (11). The semiconductor light-emitting element (2) is supported on the bottom surface of the recess (12) with the light-emitting layer (22) exposed at the recess (12). A high heat conductive member (3) the heat conductivity of which is larger than that of the light-transmissive resin (4) is charged between the semiconductor light-emitting element (2) and the recess (12).
(FR)Dispositif électroluminescent à semi-conducteur (A) constitué d'un élément électroluminescent à semi-conducteur (2) muni d'une couche électroluminescente (22), d'un fil de sortie (1) dans lequel est formé un réflecteur (11) entourant l'élément électroluminescent à semi-conducteur (2) et d'une résine translucide (4) recouvrant l'élément électroluminescent à semi-conducteur (2). Le fil de sortie (1) a un évidement (12) formé dans la surface inférieure du réflecteur (11). L'élément électroluminescent à semi-conducteur (2) est supporté sur la surface inférieure de l'évidement (12), la couche électroluminescente (22) étant exposée au niveau de l'évidement (12). Un élément à conductivité thermique élevée (3), dont la conductivité thermique est supérieure à celle de la résine translucide (4), est chargé entre l'élément électroluminescent à semi-conducteur (2) et l'évidement (12).
(JA) 半導体発光素子(A)は、発光層(22)を有する半導体発光素子(2)と、上記半導体発光素子(2)を囲むリフレクタ(11)が形成されたリード(1)と、上記半導体発光素子(2)を覆う透光樹脂(4)とを備える。上記リード(1)は、上記リフレクタ(11)の底面に形成された凹部(12)を有している。上記半導体発光素子(2)は、上記発光層(22)を上記凹部(12)から露出させた状態で、上記凹部(12)の底面に支持されている。上記半導体発光素子(2)と上記凹部(12)との間には、上記透光樹脂(4)よりも熱伝導率が大である高熱伝導材(3)が充填されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)