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1. (WO2008126681) ALLIAGE DE CUIVRE POUR UN DISPOSITIF ÉLECTRIQUE/ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/126681    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055785
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 26.03.2008
CIB :
C22C 9/06 (2006.01), C22F 1/08 (2006.01), C22F 1/00 (2006.01)
Déposants : THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUO, Ryosuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
EGUCHI, Tatsuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIHARA, Kuniteru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANEKO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIROSE, Kiyoshige [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUO, Ryosuke; (JP).
EGUCHI, Tatsuhiko; (JP).
MIHARA, Kuniteru; (JP).
KANEKO, Hiroshi; (JP).
HIROSE, Kiyoshige; (JP)
Mandataire : IIDA, Toshizo; ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-080266 26.03.2007 JP
2008-079256 25.03.2008 JP
Titre (EN) COPPER ALLOY FOR ELECTRICAL/ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) ALLIAGE DE CUIVRE POUR UN DISPOSITIF ÉLECTRIQUE/ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電気・電子機器用銅合金およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a copper alloy for electrical/electronic devices consisting of 1.5-5.0% by mass of nickel (Ni), 0.4-1.5% by mass of silicon (Si), and the balance of copper (Cu) and unavoidable impurities. In this copper alloy for electrical/electronic devices, the mass ratio between nickel (Ni) and silicon (Si), namely Ni/Si is not less than 2 but not more than 7. This copper alloy has an average crystal grain size of not less than 2 &mgr;m but not more than 20 &mgr;m, and the standard deviation of the crystal grain sizes is not more than 10 &mgr;m.
(FR)L'invention porte sur un alliage de cuivre pour des dispositifs électriques/électroniques consistant en 1,5-5,0 % en masse de nickel (Ni), 0,4-1,5 % en masse de silicium (Si), le complément étant constitué par du cuivre (Cu) et les impuretés inévitables. Dans cet alliage de cuivre pour des dispositifs électriques/électroniques, le rapport massique entre le nickel (Ni) et le silicium (Si), à savoir Ni/Si, est non inférieur à 2 mais non supérieur à 7. Cet alliage de cuivre a une dimension moyenne de grain cristallin de pas moins de 2 µm mais de pas plus de 20 µm, et l'écart-type des dimensions de grain cristallin n'est pas supérieur à 10 µm.
(JA) ニッケル(Ni)を1.5~5.0質量%、ケイ素(Si)を0.4~1.5質量%含有し、ニッケル(Ni)/ケイ素(Si)の質量比が2以上7以下で、残部が銅(Cu)と不可避不純物とからなり、平均結晶粒径が2μm以上20μm以下で、かつ、その結晶粒径の標準偏差が10μm以下である電気・電子機器用銅合金。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)