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1. (WO2008126588) COMPOSANT À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/126588    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/054468
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 12.03.2008
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
UEJIMA, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA, Hidetatsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UEJIMA, Kazuya; (JP).
NAKAMURA, Hidetatsu; (JP)
Mandataire : TAKAHASHI, Isamu; 7th Floor, Minaminihon Bldg. 10-7, Higashi Kanda 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-067659 15.03.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) COMPOSANT À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] A semiconductor device having a pMISFET using a silicon nitride film which has a strong compressive stress, manufactured with a high production yield, and having a high switching speed, and its manufacturing method are provided. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A silicon nitride film (14) is so formed within a box mark (102) as to cover a silicon substrate (1). Nickel silicide (8) is formed by a silicidation reaction in a semiconductor region in the substrate. Thereafter, a silicon nitride film (9) having a strong compressive stress is so formed as to cover the pMISFET (101) and the box mark (102). After an interlayer insulting film (11) is formed thereover, a resist is patterned to make a contact hole (13). During this process, the resist is removed and again a resist (12b) is formed until the alignment accuracy meets a predetermined requirement.
(FR)L'invention concerne un composant à semiconducteur comportant un transistor pMISFET utilisant un film de nitrure de silicium qui présente une forte contrainte à la compression, fabriqué avec un haut rendement de fabrication et possédant une vitesse de commutation élevée, ainsi que son procédé de fabrication. Pour cela, un film de nitrure de silicium (14) est formé dans l'empreinte d'un boîtier (102) de sorte à recouvrir un substrat de silicium (1). Un siliciure de nickel (8) est formé par une réaction de silicidation dans une zone du semiconducteur dans le substrat. Ensuite, un film de nitrure de silicium (9) présentant une forte contrainte à la compression est formé de façon à couvrir le transistor pMISFET (120) et l'empreinte de boîtier (102). Ensuite, un film isolant inter couches (11) est formé par dessus, une photo résine est réalisée en motifs pour réaliser un trou de contact (13). Pendant ce processus, la photo résine est éliminée et de nouveau une photo résine (12b) est formée jusqu'à ce que la précision d'alignement satisfasse à une exigence prédéterminée.
(JA)【課題】強い圧縮応力を有するシリコン窒化膜を用いたpMISFETを有する半導体装置及びその製造方法において、歩留まりが高く且つスイッチングスピードが高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】ボックスマーク102内においてシリコン基板1を覆うようにシリコン酸化膜14を形成する。次に、基板上の半導体領域にシリサイド化反応によりニッケルシリサイド8を形成する。その後、強い圧縮応力を有するシリコン窒化膜9をpMISFET101及びボックスマーク102を覆うように形成する。その上に層間絶縁膜11を形成した後レジストをパターニングしてコンタクトホール13を形成する。この際、重ね合わせ精度が所定の規格を満たすまで、レジストを一旦除去し再度レジスト12bを形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)