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1. (WO2008126541) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/126541    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/054257
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 10.03.2008
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MASUDA, Takeyoshi; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-099541 05.04.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step for forming an SiC film, a step for forming a trench (20) in the surface of the SiC film, a heat treatment step for heating the SiC film while supplying Si to the surface of the SiC film, and a step for forming a plurality of macrosteps (1), which are obtained in the surface of the SiC film by the heat treatment step, into channels. When the period of the trench (20) is represented by L and the height of the trench (20) is represented by h, the period L and the height h satisfy the following relation: L = h(cotα + cotβ) (wherein α and β are respectively a variable satisfying 0.5 ≤ α and β ≤ 45). This method enables to obtain a semiconductor device having improved characteristics.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui consiste à former un film de SiC, à former une tranchée (20) dans la surface du film de SiC, à traiter thermiquement, pour le chauffer, le film du SiC tout en fournissant du Si à la surface du film de SiC, et à former une pluralité de macro-étages (1), qui sont obtenus dans la surface du film de SiC par l'étape de traitement thermique, en canaux. Lorsque la période de la tranchée (20) est représentée par L et que la hauteur de la tranchée (20) est représentée par h, la période L et la hauteur h satisfont la relation suivante : L = h(cotα + cotβ) (dans laquelle α et β sont respectivement une variable satisfaisant 0,5 ≤ α et β ≤ 45). Ce procédé permet d'obtenir un dispositif à semi-conducteur ayant des caractéristiques améliorées.
(JA) 半導体装置の製造方法は、SiC膜を形成する工程と、SiC膜の表面にトレンチ(20)を形成する工程と、SiC膜の表面にSiを供給した状態でSiC膜を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってSiC膜の表面に得られた複数のマクロステップ(1)をチャネルとする工程とを備えている。トレンチ(20)の周期をLとし、トレンチ(20)の高さをhとした場合、周期Lと高さhとの間にはL=h(cotα+cotβ)(ただしα、βは0.5≦α、β≦45を満たす変数)が成り立っている。これにより、半導体装置の特性を向上することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)