WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008126486) COMPOSITION DE CÉRAMIQUE DIÉLECTRIQUE, SUBSTRAT CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/126486    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/053354
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 27.02.2008
CIB :
C04B 35/195 (2006.01), H01B 3/12 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
URAKAWA, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : URAKAWA, Jun; (JP)
Mandataire : KOSHIBA, Masaaki; Koshiba Patent Office Nisshin Building 14-22, Shitennoji 1-chome Tennoji-ku, Osaka-shi Osaka 543-0051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-101318 09.04.2007 JP
Titre (EN) DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION, CERAMIC SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSITION DE CÉRAMIQUE DIÉLECTRIQUE, SUBSTRAT CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 誘電体セラミック組成物ならびにセラミック基板およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a dielectric ceramic composition which is excellent in chemical resistance. Specifically disclosed is a dielectric ceramic composition containing 10-40% by weight of Ba in terms of BaO, 20-65% by weight of Si in terms of SiO2, 6-40% by weight of Al in terms of Al2O3, 1-15% by weight of B in terms of B2O3, 0.3-3% by weight of Cr in terms of Cr2O3, and 1-40% by weight of Zr in terms of ZrO2. When this dielectric ceramic composition is used for constituting surface layer portions (4, 5) of a multilayer ceramic substrate (1), which has a multilayer structure composed of an inner layer portion (3) and the surface layer portions (4, 5) wherein the surface layer portions (4, 5) have a lower thermal expansion coefficient than the inner layer portion (3), good adhesion of external conductor films (10, 11) to the surface layer portions (4, 5) can be maintained even when the external conductor films (10, 11) are plated, since the surface layer portions (4, 5) made of this dielectric ceramic composition are hardly corroded by the plating liquid.
(FR)La présente invention concerne une composition de céramique diélectrique qui présente une excellente résistance chimique. Elle concerne en particulier une composition céramique diélectrique contenant 10 à 40 % en poids de Ba en termes de BaO, 20 à 65 % en poids de Si en termes de SiO2, 6 à 40 % en poids d'Al en termes de Al2O3, 1 à 15 % en poids de B en termes de B2O3, 0,3 à 3 % en poids de Cr en termes de Cr2O3 et 1 à 40 % en poids de Zr en termes de ZrO2. Lorsque cette composition céramique diélectrique sert à constituer des parties de couche de surface (4, 5) d'un substrat céramique à couches multiples (1), qui comporte une structure à couches multiples composée d'une partie de couche interne (3) et des parties de couche de surface (4, 5) dans lesquelles les parties de couche de surface (4, 5) présentent un coefficient d'expansion thermique plus faible que la partie de couche interne (3), une bonne adhérence des films conducteurs externes (10, 11) aux parties de couche de surface (4, 5) peut être conservée même lorsque les films conducteurs externes (10, 11) sont plaqués, étant donné que les parties de couche de surface (4, 5) faites de cette composition céramique diélectrique sont difficilement corrodées par le liquide de placage.
(JA) 耐薬品性に優れた誘電体セラミック組成物を提供する。  BaをBaO換算で10~40重量%、SiをSiO換算で20~65重量%、AlをAl換算で6~40重量%、BをB換算で1~15重量%、CrをCr換算で0.3~3重量%、ならびに、ZrをZrO換算で1~40重量%含む、誘電体セラミック組成物。この誘電体セラミック組成物は、内層部(3)と表層部(4,5)とからなる積層構造を有し、表層部(4,5)の熱膨張係数が内層部(3)の熱膨張係数より小さくされた、多層セラミック基板(1)において、表層部(4,5)を構成するために用いられると、外部導体膜(10,11)にめっきが施されても、めっき液によりセラミックが侵食されにくくすることができ、外部導体膜(10,11)の、表層部(4,5)への良好な密着性を維持することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)