WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008126293) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/126293    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/057222
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 30.03.2007
CIB :
H05B 33/04 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : Pioneer Corporation [JP/JP]; 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo 1538654 (JP) (Tous Sauf US).
Tohoku Pioneer Corporation [JP/JP]; 1105 Aza-Nikko, Oaza-Kunomoto, Tendo-shi, Yamagata 9948585 (JP) (Tous Sauf US).
MENDA, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUZAKI, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MENDA, Michio; (JP).
FUKUZAKI, Masashi; (JP).
SATO, Ryuichi; (JP)
Mandataire : HOSOI, Sadayuki; Hayakawa Bldg. 14-7, Hakusan 5-chome Bunkyo-ku, Tokyo 1120001 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION DE LUMIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 発光デバイス及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting device having its light emitting section constructed of organic EL element (10), which light emitting device comprises, for inhibiting the deterioration phenomenon of the light emitting device, a sealing structure obtained by forming second insulating film (6) on second electrode (5) so as to cover the outermost peripheral portion (E3) of first insulating film (3), forming organic material layer (7) on the second insulating film (6) so as to cover the outermost peripheral portion (E3) of the first insulating film (3), forming inorganic barrier layer (8) on the organic material layer (7) so as to cover the outermost peripheral portion (E3) of the first insulating film (3) and bonding sealing member (10) to substrate (1) by means of adhesive layer (9) covering all of the second insulating film (6), organic material layer (7) and inorganic barrier layer (8).
(FR)L'invention concerne un dispositif d'émission de lumière ayant sa section d'émission de lumière construite avec un élément électroluminescent (EL) organique (10), lequel dispositif d'émission de lumière comprend, pour empêcher le phénomène de détérioration du dispositif d'émission de lumière, une structure d'étanchéité obtenue par formation d'un second film isolant (6) sur une seconde électrode (5) de façon à recouvrir la partie périphérique la plus à l'extérieur (E3) du premier film isolant (3), formation d'une couche de matière organique (7) sur le second film isolant (6) de façon à recouvrir la partie périphérique la plus à l'extérieur (E3) du premier film isolant (3), formation d'une couche de barrière inorganique (8) sur la couche de matière organique (7) de façon à recouvrir la partie périphérique la plus à l'extérieur (E3) du premier film isolant (3) et liaison d'un élément d'étanchéité (10) au substrat (1) au moyen d'une couche adhésive (9) recouvrant tous les éléments parmi le second film isolant (6), la couche de matière organique (7) et la couche de barrière inorganique (8).
(JA) 発光デバイスの劣化現象を抑制するために、有機EL素子10によって発光部を形成する発光デバイスにおいて、第1絶縁膜3の最外縁部E3を覆うように、第2電極5上に第2絶縁膜6を形成し、第1絶縁膜3の最外縁部E3を覆うように、第2絶縁膜6上に有機材料層7を形成し、第1絶縁膜3の最外縁部E3を覆うように、有機材料層7上に無機バリア層8を形成し、第2絶縁膜6、有機材料層7、無機バリア層8を全て覆う接着剤層9を介して基板1に封止部材10を接着した封止構造を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)