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1. (WO2008126197) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/126197    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/055662
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 20.03.2007
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED [JP/JP]; 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1630722 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAI, Kouichi; (JP)
Mandataire : KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, NBF Ikebukuro City Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An aluminum oxide film is formed so as to cover a ferroelectric capacitor. Subsequently, the aluminum oxide film is provided with aperture portion (51t) realizing exposure of an area of superior electrode and aperture portion (51b) realizing exposure of an area of inferior electrode. Thereafter, films (23 to 26) are formed, and resist pattern (92) is formed. The films (23 to 26) are etched using the resist pattern (92) as a mask, thereby obtaining contact holes (27t,27b). In this stage, as the aluminum oxide film is provided with the aperture portions (51t,51b), working of the aluminum oxide film is not needed. Therefore, the contact holes (27t,27b) can be easily provided.
(FR)L'invention concerne un film d'oxyde d'aluminium est formé de façon à recouvrir un condensateur ferroélectrique. Ultérieurement, le film d'oxyde d'aluminium se voit doté d'une partie d'ouverture (51t), permettant d'obtenir une exposition d'une surface de l'électrode supérieure, et d'une partie d'ouverture (51b) permettant d'obtenir une exposition d'une surface de l'électrode inférieure. Par la suite, des films (23 à 26) sont formés, et un motif de résist (92) est formé. Les films (23 à 26) sont gravés à l'aide du motif de résist (92) en tant que masque, permettant ainsi d'obtenir des trous de contact (27t, 27b). Dans cette étape, étant donné que le film d'oxyde d'aluminium comporte les parties d'ouverture (51t, 51b), le travail du film d'oxyde d'aluminium n'est pas nécessaire. Ainsi, les trous de contact (27t, 27b) peuvent être facilement disposés.
(JA) 強誘電体キャパシタを覆うアルミニウム酸化膜を形成する。次に、アルミニウム酸化膜に、上部電極の一部を露出する開口部(51t)及び下部電極の一部を露出する開口部(51b)を形成する。その後、膜(23~26)を形成し、レジストパターン(92)を形成する。そして、レジストパターン(92)をマスクとして膜(23~26)のエッチングを行うことにより、コンタクトホール(27t)及び(27b)を形成する。この時、アルミニウム酸化膜に開口部(51t)及び(51b)が形成されているため、アルミニウム酸化膜を加工する必要がない。従って、容易にコンタクトホール(27t)及び(27b)を形成することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)