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1. (WO2008125242) ÉLÉMENT DE DÉTECTION INTÉGRÉ AYANT UN EFFET DE RÉSONANCE PLASMON-POLARITON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/125242    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/002739
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 07.04.2008
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), G02B 5/18 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER - GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (Tous Sauf US).
TSCHEKALINSKIJ, Wladimir [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
JUNGER, Stephan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEBER, Norbert [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : TSCHEKALINSKIJ, Wladimir; (DE).
JUNGER, Stephan; (DE).
WEBER, Norbert; (DE)
Mandataire : SCHENK, Markus; Schoppe, Zimmermann, Stöckeler & Zinkler, Postfach 246, 82043 Pullach bei München (DE)
Données relatives à la priorité :
102007017736.6 16.04.2007 DE
102007023563.3 21.05.2007 DE
Titre (DE) INTEGRIERTES SENSORELEMENT MIT PLASMON-POLARITON-RESONANZ-EFFEKT
(EN) INTEGRATED SENSOR ELEMENT THAT PRODUCES A PLASMON-POLARITON RESONANCE EFFECT
(FR) ÉLÉMENT DE DÉTECTION INTÉGRÉ AYANT UN EFFET DE RÉSONANCE PLASMON-POLARITON
Abrégé : front page image
(DE)Ein in CMOS-Technologie hergestelltes, integriertes Sensorelement (10) mit einem Pixelsensor (14) und einer Metallstruktur (16; 34-1), die ansprechend auf elektromagnetische Strahlung (12) eines vorbestimmten Durchlasswellenlängenbereichs einen Plasmon-Polariton-Resonanz-Effekt ermöglicht, wobei die Metallstruktur (16; 34-1) in einer CMOS-Metallschicht strukturiert ist, und wobei der Pixelsensor (14) und die Metallstruktur (16; 34-1) gemeinsam auf einem Halbleitersubstrat (30) integriert sind, so dass sich aufgrund des Plasmon-Polariton-Resonanz-Effekts für den Durchlasswellenlängenbereich eine höhere Transmission durch die Metallstruktur (16; 34-1) zu dem Pixelsensor (14) ergibt als für den Durchlasswellenlängenbereich umgebende Wellenlängen.
(EN)The invention relates to an integrated sensor element (10) which is produced in CMOS technology and comprises a pixel sensor (14) and a metal structure (16; 34-1) and produces a plasmon polariton resonance effect in response to electromagnetic radiation (12) in a predetermined transmission wavelength range, the metal structure (16; 34-1) being structured in a CMOS metal layer. The pixel sensor (14) and the metal structure (16; 34-1) are integrated on a common semiconductor substrate (30) so that owing to the plasmon-polariton resonance effect there is greater transmission through the metal structure (16; 34-1) to the pixel sensor for the transmission wavelength range then for wavelengths close to the transmission wavelength range.
(FR)L'invention concerne un élément de détection intégré (10) produit au moyen de la technologie CMOS, comprenant un capteur à pixels (14) et une structure métallique (16; 34-1) qui genère un effet de résonance plasmon-polariton en réponse à un rayonnement électromagnétique (12) d'une gamme de longueurs d'ondes de passage spécifique. Selon l'invention, cette structure métallique (16; 34-1) est structuré de manière à comprendre une couche métallique CMOS. En outre, le capteur à pixels (14) et la structure métallique (16; 34-1) sont intégrés de manière commune sur un substrat semi-conduteur (30), de façon que la transmission à travers la structure métallique (16; 34-1) au capteur à pixels (14) soit plus élevée pour ladite gamme de longueurs d'ondes de passage que pour les longueurs d'ondes proches de cette gamme de longueurs d'ondes de passage, en raison de l'effet de résonnance plasmon-polariton.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)