WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008125009) SUBSTRAT DE CIRCUIT À CONDUCTION THERMIQUE ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/125009    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/000732
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 10.04.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.05.2008    
CIB :
H01L 23/36 (2006.01), H05K 1/05 (2006.01), H05K 3/44 (2006.01), H05K 7/20 (2006.01)
Déposants : COSMOS VACUUM TECHNOLOGY CORPORATION [CN/CN]; No. 45, Wu-chuan 7th Rd., Wu -ku Industrial Park Taipei County, Taiwan (CN) (Tous Sauf US).
HUANG, Hsu-tan [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CHOU, Chung-lin [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : HUANG, Hsu-tan; (CN).
CHOU, Chung-lin; (CN)
Mandataire : JEEKAI & PARTNERS; Suite 602, Jinyu Tower A129 West Xuan Wu Men Street, Xicheng District Beijing 100031 (CN)
Données relatives à la priorité :
200710095882.4 12.04.2007 CN
Titre (EN) A HIGH HEAT CONDUCTIVE CIRCUIT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE CIRCUIT À CONDUCTION THERMIQUE ÉLEVÉE
(ZH) 高导热电路基板
Abrégé : front page image
(EN)A high heat conductive circuit substrate (10) includes: a metal substrate (20), an insulating layer (30) which is formed on the surface of the metal substrate (20), a first dielectric layer (40) which is formed on the surface of the insulating layer (30), a conductive layer (50) which is formed on the surface of the first dielectric layer (40). The conductive layer (50) is made up of a conductive media layer (52) and a main conductive layer (54).
(FR)L'invention concerne un substrat (10) de circuit à conduction thermique élevée, qui comprend un substrat métallique (20), une couche isolante (30) qui est formée sur la surface du substrat métallique (20), une première couche diélectrique (40) qui est formée sur la surface de la couche isolante (30), une couche conductrice (50) qui est formée sur la surface de la première couche diélectrique (40). La couche conductrice (50) est constituée d'une couche de milieu conductrice (52) et d'une couche conductrice principale (54).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)