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1. (WO2008125003) COMPOSITION NETTOYANTE À FAIBLE ATTAQUE CHIMIQUE DESTINÉE À RETIRER UNE COUCHE DE RÉSERVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/125003    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/000684
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 03.04.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.01.2009    
CIB :
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), C23G 1/06 (2006.01), C11D 1/83 (2006.01)
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; Suite 613-618, Building#5, No.300O Longdong Ave. Zhangjiang Hi-Tech park Pudong Shanghai 201203 (CN) (Tous Sauf US).
SHI, Robert, Yongtao [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
PENG, Libbert, Hongxiu [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Bing [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : SHI, Robert, Yongtao; (CN).
PENG, Libbert, Hongxiu; (CN).
LIU, Bing; (CN)
Mandataire : HANHONG LAW FIRM; Room 1505 New Huang Pu Financial Building No. 61 East Nanjing Road Shanghai 200002 (CN)
Données relatives à la priorité :
200710039481.7 13.04.2007 CN
Titre (EN) LOW ETCH CLEANING COMPOSITION FOR REMOVING RESIST
(FR) COMPOSITION NETTOYANTE À FAIBLE ATTAQUE CHIMIQUE DESTINÉE À RETIRER UNE COUCHE DE RÉSERVE
(ZH) 低蚀刻性光刻胶清洗剂
Abrégé : front page image
(EN)A cleaning composition for removing resist includes benzoic alcohol and/or derivatives thereof, quaternary ammonium hydroxide and dimethyl sulphoxide. The cleaning composition may clean the resist and the other residues on a metal, metal alloy and dielectric substrate.
(FR)L'invention a trait à une composition nettoyante permettant de retirer une couche de réserve et comprenant de l'alcool benzoïque et/ou ses dérivés, de l'hydroxyde d'ammonium quaternaire et du diméthylsulfoxide. Cette composition nettoyante peut ôter la couche de réserve et les autres résidus présents sur un métal, un alliage métallique ou un substrat diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)