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1. (WO2008125002) COMPOSITION NETTOYANTE DESTINÉE À RETIRER UNE COUCHE DE RÉSERVE ÉPAISSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/125002    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/000681
Date de publication : 23.10.2008 Date de dépôt international : 03.04.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.01.2009    
CIB :
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), C23G 1/06 (2006.01), C11D 1/83 (2006.01)
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD [CN/CN]; Suite 613-618 Building #5 N° 3000 Longdong Ave. Zhangjiang Hi-Tech Park, Pudong Shangai 201203 (CN) (Tous Sauf US).
SHI, Robert, Yongtao [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
PENG, Libbert, Hongxiu [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Bing [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : SHI, Robert, Yongtao; (CN).
PENG, Libbert, Hongxiu; (CN).
LIU, Bing; (CN)
Mandataire : HANHONG LAW FIRM; Room 1505 New Huang Pu Financial Building No. 61 East Nanjing Road Shanghai 200002 (CN)
Données relatives à la priorité :
200710039482.1 13.04.2007 CN
Titre (EN) CLEANING COMPOSITION FOR REMOVING THICK FILM RESIST
(FR) COMPOSITION NETTOYANTE DESTINÉE À RETIRER UNE COUCHE DE RÉSERVE ÉPAISSE
(ZH) 厚膜光刻胶清洗剂
Abrégé : front page image
(EN)A cleaning composition for removing thick film resist includes dimethylsulfoxide, potassium hydroxide, benzyl alcohol and/or derivatives thereof, quaternary ammonium hydroxide, alkanolamine. The cleaning composition may clean more than 100μm thickness resist on a metal, metal alloy and dielectric substrate.
(FR)L'invention a pour objet une composition nettoyante permettant de retirer une couche de réserve épaisse et comprenant du diméthylsulfoxide, de l'hydroxyde de potassium, de l'alcool benzylique et/ou ses dérivés, de l'hydroxyde d'ammonium quaternaire, de l'alkanolamine. Cette composition nettoyante peut ôter plus de 100 μm de réserve sur un métal, un alliage métallique ou un substrat diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)