WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008124760) MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ ET PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION PRÉDICTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/124760    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059740
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 09.04.2008
CIB :
G11C 16/10 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Blvd., Milpitas, California 95035 (US) (Tous Sauf US).
CERNEA, Raul-Adrian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CERNEA, Raul-Adrian; (US)
Mandataire : YAU, Philip; Davis Wright Tremaine LLP, 505 Montgomery Street, Suite 800, San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
11/733,694 10.04.2007 US
11/733,706 10.04.2007 US
Titre (EN) NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD FOR PREDICTIVE PROGRAMMING
(FR) MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ ET PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION PRÉDICTIF
Abrégé : front page image
(EN)In a nonvolatile memory having an array of memory cells, wherein the memory cells are individually programmable to one of a range of threshold voltage levels, there is provided a predictive programming mode in which a predetermined function predicts what programming voltage level needs to be applied in order to program a given memory cell to a given target threshold voltage level. In this way, no verify operation needs to be performed, thereby greatly improving the performance of the programming operation. In a preferred embodiment, the predetermined function is linear and is calibrated for each memory cell under programming by one or more checkpoints. The checkpoint is an actual programming voltage that programs the memory cell in question to a verified designated threshold voltage level.
(FR)L'invention concerne une mémoire non volatile ayant un ensemble de cellules de mémoire, les cellules de mémoire étant programmables individuellement sur un niveau d'une plage de niveaux de tension de seuil. Cette mémoire non volatile comprend un mode de programmation prédictif dans lequel une fonction prédéterminée prédit quel niveau de tension de programmation doit être appliqué afin de programmer une cellule de mémoire donnée à un niveau de tension de seuil cible donné. De cette façon, aucune opération de vérification n'a besoin d'être effectuée, améliorant ainsi considérablement la performance de l'opération de programmation. Dans un mode de réalisation préféré, la fonction prédéterminée est linéaire et est étalonnée pour chaque cellule de mémoire lors de la programmation par un ou plusieurs points de contrôle. Le point de contrôle est une tension de programmation réelle qui programme la cellule de mémoire en question à un niveau de tension de seuil désigné vérifié.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)