WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008124704) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTORÉSISTIVE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN ET PROCÉDÉS DE CONCEPTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/124704    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059600
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 07.04.2008
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US) (Tous Sauf US).
JUNG, Seong-Ook [KR/US]; (US) (US Seulement).
SANI, Mehdi, Hamidi [US/US]; (US) (US Seulement).
KANG, Seung H. [US/US]; (US) (US Seulement).
YOON, Sei Seung [KR/--]; (US Seulement)
Inventeurs : JUNG, Seong-Ook; (US).
SANI, Mehdi, Hamidi; (US).
KANG, Seung H.; (US).
YOON, Sei Seung;
Mandataire : CICCOZZI, John; 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
60/910,255 05.04.2007 US
11/972,674 11.01.2008 US
Titre (EN) SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND DESIGN METHODS
(FR) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTORÉSISTIVE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN ET PROCÉDÉS DE CONCEPTION
Abrégé : front page image
(EN)Systems, circuits and methods for determining read and write voltages for a given word line transistor in Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) are disclosed. A first voltage can be supplied to the write operations so that the write operations occur in the saturation region (454) of the word line transistor. A second voltage, which is less than the first voltage, can be supplied for read operations so that the read operations occur in the linear region (452) of the word line transistor.
(FR)L'invention concerne des systèmes, des circuits et des procédés pour déterminer des tensions de lecture et d'écriture pour un transistor de ligne de mot donné dans une mémoire vive magnétorésistive à couple de transfert de spin (STT-MRAM). Une première tension peut être appliquée aux opérations d'écriture de telle sorte que les opérations d'écriture se produisent dans la région de saturation (454) du transistor de ligne de mot. Une seconde tension, qui est inférieure à la première tension, peut être appliquée pour des opérations de lecture de telle sorte que les opérations de lecture se produisent dans la région linéaire (452) du transistor de ligne de mot.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)