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1. (WO2008124595) PROCÉDÉ DE DÉPÔT ET PROCÉDÉ DE RECUIT POLYSILICIUM PERMETTANT D'OBTENIR DES FILMS ÉPAIS DE POLYSILICIUM POUR DES APPLICATIONS DE SYSTÈMES MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUES (MEMS)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/124595    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059415
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 04.04.2008
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way, Norwood, MA 02062-9106 (US) (Tous Sauf US).
NUNAN, Thomas, Kieran [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NUNAN, Thomas, Kieran; (US)
Mandataire : SUNSTEIN, Bruce, D.; Bromberg & Sunstein, LLP, 125 Summer Street, Boston, MA 02110 (US)
Données relatives à la priorité :
60/910,274 05.04.2007 US
Titre (EN) POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT ET PROCÉDÉ DE RECUIT POLYSILICIUM PERMETTANT D'OBTENIR DES FILMS ÉPAIS DE POLYSILICIUM POUR DES APPLICATIONS DE SYSTÈMES MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUES (MEMS)
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a thick polysilicon layer for a MEMS inertial sensor includes forming a first amorphous polysilicon film on a substrate in an elevated temperature environment for a period of time such that a portion of the amorphous polysilicon film undergoes crystallization and grain growth at least near the substrate. The method also includes forming an oxide layer on the first amorphous polysilicon film, annealing the first amorphous polysilicon film in an environment of about 1100°C or greater to produce a crystalline film, and removing the oxide layer. Lastly, the method includes forming a second amorphous polysilicon film on a surface of the crystalline polysilicon film in an elevated temperature environment for a period of time such that a portion of the second amorphous polysilicon film undergoes crystallization and grain growth at least near the surface of the crystalline polysilicon film.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former une couche épaisse de polysilicium pour un capteur inertiel de système micro-électromécanique (MEMS). Ce procédé comprend la fabrication d'un premier film de polysilicium amorphe sur un substrat dans un environnement à température élevée pendant une période de temps telle qu'une partie du film de polysilicium amorphe subit une cristallisation et une croissance de grain au moins à proximité du substrat. Le procédé comprend également la fabrication d'une couche d'oxyde sur le premier film de polysilicium amorphe, le recuit du premier film de polysilicium amorphe dans un environnement d'environ au moins 1 100 °C pour produire un film cristallin et l'élimination de la couche d'oxyde. Enfin, le procédé comprend la fabrication d'un second film de polysilicium amorphe sur une surface du film de polysilicium cristallin dans un environnement à température élevée pendant une période de temps telle qu'une partie du second film de polysilicium amorphe subit une cristallisation et une croissance de grain au moins à proximité de la surface du film de polysilicium cristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)