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1. (WO2008124507) PROCÉDÉS DE FORMATION D'UN COMPOSANT PHOTOVOLTAÏQUE PRÉSENTANT UNE FAIBLE RÉSISTANCE DE CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/124507    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059274
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 03.04.2008
CIB :
H01M 10/44 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
SHENG, Shuran [CA/US]; (US) (US Seulement).
CHAE, Yong Kee [KR/US]; (US) (US Seulement).
WON, Tae Kyung [KR/US]; (US) (US Seulement).
LI, Liwei [CN/US]; (US) (US Seulement).
CHOI, Soo Young [KR/US]; (US) (US Seulement).
LI, Yanping [CN/US]; (US) (US Seulement).
CRUZ, Joe Griffith [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHENG, Shuran; (US).
CHAE, Yong Kee; (US).
WON, Tae Kyung; (US).
LI, Liwei; (US).
CHOI, Soo Young; (US).
LI, Yanping; (US).
CRUZ, Joe Griffith; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, Texas 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
11/733,184 09.04.2007 US
Titre (EN) METHODS FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH LOW CONTACT RESISTANCE
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION D'UN COMPOSANT PHOTOVOLTAÏQUE PRÉSENTANT UNE FAIBLE RÉSISTANCE DE CONTACT
Abrégé : front page image
(EN)An improved PV solar cell structure and methods for manufacturing the same are provided. In one embodiment, a photovoltaic device includes a first photoelectric conversion unit, a first transparent conductive oxide layer and a first microcrystalline silicon layer disposed between and in contact with the photoelectric conversion unit and the transparent conductive oxide layer. In another embodiment, a method of forming a photovoltaic solar cell includes providing a substrate having a first transparent conductive oxide layer disposed thereon, depositing a first microcrystalline silicon layer on the transparent conductive oxide layer, and forming a first photoelectric conversion unit on the microcrystalline silicon layer.
(FR)L'invention concerne une structure de cellule solaire photovoltaïque et ses procédés de fabrication. Selon un premier mode de réalisation, un composant photovoltaïque inclut une première unité de conversion photoélectrique, une première couche d'oxyde conducteur transparent et une première couche de silicium microcristallin placée entre l'unité de conversion photoélectrique et la couche d'oxyde conducteur transparent et en contact avec celles-ci. Selon un autre mode de réalisation, un procédé de formation d'une cellule solaire photovoltaïque inclut l'utilisation d'un substrat comportant une première couche d'oxyde conducteur transparent disposé sur celui-ci, le dépôt d'une première couche de silicium microcristallin sur la couche d'oxyde conducteur transparent et la formation d'une première unité de conversion photoélectrique sur la couche de silicium microcristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)