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1. (WO2008124477) PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR TRAITER THERMIQUEMENT UNE PLURALITÉ D'OBJETS EN FORME DE TRANCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/124477    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059228
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 03.04.2008
CIB :
H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : MATTSON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 47131 Bayside Parkway Fremont, California 94538 (US) (Tous Sauf US).
NENYEI, Zsolt [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TIMANS, Paul, Janis [GB/US]; (US) (US Seulement).
LERCH, Wilfried [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
NIESS, Juergen [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FALTER, Manfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
O'CARROLL, Conor, Patrick [US/CA]; (CA) (US Seulement).
CARDEMA, Rudy [US/US]; (US) (US Seulement).
FIDELMAN, Igor [US/US]; (US) (US Seulement).
TAY, Sing-Pin [CA/US]; (US) (US Seulement).
HU, Yao Zhi [CN/US]; (US) (US Seulement).
DEVINE, Daniel, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHMID, Patrick [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : NENYEI, Zsolt; (DE).
TIMANS, Paul, Janis; (US).
LERCH, Wilfried; (DE).
NIESS, Juergen; (DE).
FALTER, Manfred; (DE).
O'CARROLL, Conor, Patrick; (CA).
CARDEMA, Rudy; (US).
FIDELMAN, Igor; (US).
TAY, Sing-Pin; (US).
HU, Yao Zhi; (US).
DEVINE, Daniel, J.; (US).
SCHMID, Patrick; (DE)
Mandataire : CASSIDY, Timothy, A.; Dority & Manning, P.A. P.O. Box 1449 Greenville, South Carolina 29602-1449 (US)
Données relatives à la priorité :
11/784,503 06.04.2007 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR THERMALLY PROCESSING A PLURALITY OF WAFER-SHAPED OBJECTS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME POUR TRAITER THERMIQUEMENT UNE PLURALITÉ D'OBJETS EN FORME DE TRANCHES
Abrégé : front page image
(EN)Process and system for processing wafer-shaped objects, such as semiconductor wafers is disclosed. In accordance with the present disclosure, a multiple of two wafers are processed in a thermal processing chamber. The thermal processing chamber is in communication with at least one heating device for heating the wafers. The wafers are placed in the thermal processing chamber in a face-to-face configuration or in a back-to-back configuration.
(FR)La présente invention concerne un procédé et système pour traiter des objets en forme de tranches, tels que des tranches de semi-conducteurs. Selon la présente divulgation, un multiple de deux tranches est traité dans une chambre de traitement thermique. La chambre de traitement thermique est en communication avec au moins un dispositif de chauffage pour chauffer les tranches. Les tranches sont placées dans la chambre de traitement thermique dans une configuration face à face ou dans une configuration dos à dos.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)