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1. (WO2008124444) PROCÉDÉS POUR FORMER DE LARGES TRANCHÉES D'ÉLÉMENTS DE CHAUFFAGE ET POUR FORMER DES CELLULES D'ENGAGEMENT D'ÉLÉMENTS DE CHAUFFAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/124444    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/059148
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 02.04.2008
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : MARVELL WORLD TRADE LTD. [BB/BB]; L'Horizon, Gunsite Road, Brittons Hill, St. Michael, BB14027 (BB) (Tous Sauf US).
SUTARDJA, Pantas [US/US]; (US) (US Seulement).
WU, Albert [US/US]; (US) (US Seulement).
CHANG, Runzi [CN/US]; (US) (US Seulement).
WEI, Chien-Chuan [US/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Winston [US/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Peter [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SUTARDJA, Pantas; (US).
WU, Albert; (US).
CHANG, Runzi; (US).
WEI, Chien-Chuan; (US).
LEE, Winston; (US).
LEE, Peter; (US)
Mandataire : SCHWABE, WILLIAMSON & WYATT, P.C.; Pacwest Center, Suite 1900, 1211 SW Fifth Avenue, Portland, OR 97204, (US)
Données relatives à la priorité :
60/909,813 03.04.2007 US
60/910,240 05.04.2007 US
60/910,389 05.04.2007 US
12/060,792 01.04.2008 US
12/060,810 01.04.2008 US
Titre (EN) METHODS TO FORM WIDE HEATER TRENCHES AND TO FORM MEMORY CELLS TO ENGAGE HEATERS
(FR) PROCÉDÉS POUR FORMER DE LARGES TRANCHÉES D'ÉLÉMENTS DE CHAUFFAGE ET POUR FORMER DES CELLULES D'ENGAGEMENT D'ÉLÉMENTS DE CHAUFFAGE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present invention, provide a method that includes providing a wafer including multiple cells, each cell including at least one emitter (108), and performing a lithographic operation on the wafer. The lithographic operation comprises forming heater trenches adjacent the emitters, each heater trench having a width' that extends over at least respective portions of two cells. Embodiments of the present invention also provide a method that includes providing wafer including multiple cells, each cell including at least -one emitter. The method further includes performing a lithographic operation in a word line direction of the wafer across the cells to form pre-heater element arrangements, performing a lithographic operation in a bit line direction of the wafer across the pre-heater element arrangements to form a pre-heater element adjacent each emitter, and performing a lithographic operation in the word line direction across a portion of the pre-heater elements to form a heater element (402a, 402b) adjacent each emitter. Other embodiments are also described.
(FR)Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne un procédé comprenant la mise à disposition d'une tranche comportant une pluralité de cellules, chaque cellule comprenant au moins un émetteur (108), et réalisant une opération lithographique sur la tranche. L'opération lithographique comprend la formation de tranchées d'éléments de chauffage adjacentes aux émetteurs, chaque tranchée d'éléments de chauffage présentant une largeur qui s'étend sur au moins des parties respectives de deux cellules. Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne également un procédé comprenant la mise à disposition d'une tranche comportant une pluralité de cellules, chaque cellule comprenant au moins un émetteur. Le procédé comprend également la réalisation d'une opération lithographique dans la direction de canal mot de la tranche à travers les cellules pour former des agencements d'éléments de préchauffage, la réalisation d'une opération lithographique dans une direction de canal mot de la tranche pour former des agencements d'éléments de préchauffage pour former un élément de préchauffage adjacent à chaque émetteur, et la réalisation d'une opération lithographique dans la direction de canal mot à travers une partie des éléments de préchauffage pour former un élément de chauffage(402a, 402b) adjacent à chaque émetteur. D'autres modes de réalisation sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)