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1. (WO2008124372) ELIMINATION D'UNE ATTAQUE PAR GRAVURE PAR MODIFICATION INTERFACIALE DANS DES COUCHES SACRIFICIELLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/124372    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058956
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 31.03.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.03.2009    
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
TU, Thanh, Nghia [US/US]; (US) (US Seulement).
LUO, Qi [CN/US]; (US) (US Seulement).
YANG, Chia Wei; (TW) (US Seulement).
HEALD, David [US/US]; (US) (US Seulement).
GOUSEV, Evgeni [RU/US]; (US) (US Seulement).
CHIANG, Chih-Wei; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : TU, Thanh, Nghia; (US).
LUO, Qi; (US).
YANG, Chia Wei; (TW).
HEALD, David; (US).
GOUSEV, Evgeni; (US).
CHIANG, Chih-Wei; (TW)
Mandataire : ABUMERI, Mark, M.; Knobbe Martens Olson & Bear, Llp, 2040 Main Street, Fourteenth Floor, Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
60/910,184 04.04.2007 US
Titre (EN) ELIMINATE RELEASE ETCH ATTACK BY INTERFACE MODIFICATION IN SACRIFICIAL LAYERS
(FR) ELIMINATION D'UNE ATTAQUE PAR GRAVURE PAR MODIFICATION INTERFACIALE DANS DES COUCHES SACRIFICIELLES
Abrégé : front page image
(EN)Methods of making a micro electromechanical system (MEMS) device are described. In some embodiments, the method includes forming a sacrificial layer over a substrate, treating at least a portion of the sacrificial layer to form a treated sacrificial portion, forming an overlying layer over at least a part of the treated sacrificial portion, and at least partially removing the treated sacrificial portion to form a cavity situated between the substrate and the overlying layer, the overlying layer being exposed to the cavity.
(FR)La présente invention concerne des procédés de fabrication d'un dispositif pour système micro-électromécanique (MEMS). Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend la formation d'une couche sacrificielle sur un substrat, le traitement d'au moins une partie de la couche sacrificielle pour former une partie sacrificielle traitée, la formation d'une surcouche sur au moins une partie de la partie sacrificielle traitée, et l'élimination au moins partielle de la partie sacrificielle traitée pour former une cavité située entre le substrat et la surcouche, la surcouche étant exposée à la cavité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)