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1. (WO2008124154) PHOTOVOLTAÏQUE SUR SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/124154    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/004564
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 09.04.2008
CIB :
H01L 31/068 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : AMBERWAVE SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 13 Garabedian Drive Salem, NH 03079 (US) (Tous Sauf US).
LI, Jizhong [CN/US]; (US) (US Seulement).
LOCHTEFELD, Anthony, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHEEN, Calvin [US/US]; (US) (US Seulement).
CHENG, Zhiyuan [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Jizhong; (US).
LOCHTEFELD, Anthony, J.; (US).
SHEEN, Calvin; (US).
CHENG, Zhiyuan; (US)
Mandataire : US, Natasha; Goodwin Procter LLP, Exchange Place, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/922,533 09.04.2007 US
Titre (EN) PHOTOVOLTAICS ON SILICON
(FR) PHOTOVOLTAÏQUE SUR SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Structures including crystalline material disposed in openings defined in a non-crystalline mask layer disposed over a substrate. A photovoltaic cell may be disposed above the crystalline material.
(FR)La présente invention concerne des structures comprenant un matériau cristallin disposé dans des ouvertures définies dans un masque non cristallin disposé sur un substrat. Une cellule photovoltaïque peut être disposée au-dessus du matériau cristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)