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1. (WO2008123945) PROCÉDÉ PERMETTANT DE NETTOYER LES SURFACES DE TRANCHES SEMICONDUCTRICES EN APPLIQUANT UNE CONTRAINTE DE CISAILLEMENT PÉRIODIQUE À LA SOLUTION DE NETTOYAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123945    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/004033
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 27.03.2008
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
FREER, Erik, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
DE LARIOS, John, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
RAVKIN, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
KOROLIK, Mikhail [RU/US]; (US) (US Seulement).
REDEKER, Fritz, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FREER, Erik, M.; (US).
DE LARIOS, John, M.; (US).
RAVKIN, Michael; (US).
KOROLIK, Mikhail; (US).
REDEKER, Fritz, C.; (US)
Mandataire : PENILLA, Albert, S.; Martine Penilla & Gencarella, Llp, 710 Lakeway Drive, Suite 200, Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
11/732,603 03.04.2007 US
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER SURFACES BY APPLYING PERIODIC SHEAR STRESS TO THE CLEANING SOLUTION
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE NETTOYER LES SURFACES DE TRANCHES SEMICONDUCTRICES EN APPLIQUANT UNE CONTRAINTE DE CISAILLEMENT PÉRIODIQUE À LA SOLUTION DE NETTOYAGE
Abrégé : front page image
(EN)Systems and methods for cleaning particulate contaminants adhered to wafer surfaces are provided. A cleaning media including dispersed coupling elements suspended within the cleaning media is applied over a wafer surface. External energy is applied to the cleaning media to generate periodic shear stresses within the media. The periodic shear stresses impart momentum and/or drag forces on the coupling elements causing the coupling elements to interact with the particulate contaminants to remove the particulate contaminants from the wafer surfaces.
(FR)L'invention concerne des systèmes et des procédés qui permettent de nettoyer les contaminants particulaires qui adhèrent à la surface de tranches. Selon l'invention, on applique sur la surface d'une tranche un milieu de nettoyage comprenant des éléments de couplage dispersés, en suspension dans le milieu de nettoyage. On applique une énergie extérieure au milieu de nettoyage afin de produire des contraintes de cisaillement périodiques à l'intérieur du milieu. Les contraintes de cisaillement périodiques communiquent des forces d'impulsion et/ou de traînée aux éléments de couplage, qui les entraînent à interagir avec les contaminants particulaires afin d'éliminer ces derniers de la surface des tranches.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)