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1. (WO2008123431) PROCÉDÉ D'OXYDATION AU PLASMA, APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123431    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/056134
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 28.03.2008
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
KABE, Yoshiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIOZAWA, Toshihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITAGAWA, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KABE, Yoshiro; (JP).
KOBAYASHI, Takashi; (JP).
SHIOZAWA, Toshihiko; (JP).
KITAGAWA, Junichi; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA, Hiroshi; Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F 1-7-20 Hirakawacho Chiyoda-ku, Tokyo 1020093 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-091700 30.03.2007 JP
Titre (EN) PLASMA OXIDATION METHOD, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ D'OXYDATION AU PLASMA, APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) プラズマ酸化処理方法、プラズマ処理装置、及び、記憶媒体
Abrégé : front page image
(EN)A silicon oxide film is formed in a processing chamber of a plasma processing apparatus by performing oxidation process to a body, which is to be processed and has an uneven pattern, by using plasma. The film is formed by plasma by applying high frequency power to a placing table whereupon the body to be processed is placed, under the conditions where the ratio of oxygen in a processing gas is 0.5% or more but not more than 10% and a processing pressure within a range of 1.3-665Pa.
(FR)Un film d'oxyde de silicium est formé dans une chambre de traitement d'un appareil de traitement au plasma par la réalisation d'un procédé d'oxydation à un corps, qui doit être traité et a un motif non régulier, à l'aide du plasma. Le film est formé par plasma par application d'une puissance haute fréquence à une table de placement sur laquelle le corps devant être traité est placé, dans les conditions où la proportion d'oxygène dans un gaz de traitement est de 0,5 % ou plus mais de pas plus de 10 % et une pression de traitement se trouve dans une plage de 1,3-665 Pa.
(JA) プラズマ処理装置の処理室内で、凹凸パターンを有する被処理体にプラズマによる酸化処理を施してシリコン酸化膜を形成するにあたり、処理ガス中の酸素の割合が0.5%以上10%未満で、かつ処理圧力が1.3~665Paの条件で、被処理体を載置する載置台に高周波電力を印加しながらプラズマ形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)