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1. (WO2008123377) CÉRAMIQUE DIÉLECTRIQUE ET CONDENSATEUR CÉRAMIQUE FEUILLETÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123377    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055951
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 27.03.2008
CIB :
C04B 35/46 (2006.01), H01B 3/12 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01), H01G 4/30 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (Tous Sauf US).
OSUZU, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAZAKI, Youichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIOKA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUDA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OSUZU, Hideyuki; (JP).
YAMAZAKI, Youichi; (JP).
FUJIOKA, Yoshihiro; (JP).
FUKUDA, Daisuke; (JP)
Mandataire : FUKAI, Toshikazu; OMM Bldg. 8th Floor 7-31, Otemae 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5406591 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-082466 27.03.2007 JP
Titre (EN) DIELECTRIC CERAMIC AND LAMINATED CERAMIC CAPACITOR
(FR) CÉRAMIQUE DIÉLECTRIQUE ET CONDENSATEUR CÉRAMIQUE FEUILLETÉ
(JA) 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a dielectric ceramic comprising crystal grains having a core-shell structure composed mainly of barium titanate and a solid solution of calcium, vanadium, magnesium, manganese, and at least one rare earth element selected from, yttrium, dysprosium, holmium, erbium, and terbium, and a grain boundary phase present among the crystal grains. A dielectric ceramic having a high permittivity, a small change in specific permittivity depending upon the temperature, and, at the same time, no significant dependence of insulating resistance upon voltage can be produced by incorporating vanadium, magnesium, rare earth element, and manganese in a predetermined ratio into the crystal grains and bringing a Curie temperature to a range of 95 to 105ºC.
(FR)Cette invention porte sur une céramique diélectrique comprenant des grains cristallins ayant une structure noyau - enveloppe composée principalement de titanate de baryum et d'une solution solide de calcium, vanadium, magnésium, manganèse et au moins un élément des terres rares choisi parmi l'yttrium, le dysprosium, l'holmium, l'erbium et le terbium, et une phase de limites de grain présente parmi les grains cristallins. On peut obtenir une céramique diélectrique ayant une permittivité élevée, une faible variation de permittivité spécifique en fonction de la température et, en même temps, aucune dépendance significative de la résistance d'isolation vis-à-vis de la tension, en incorporant du vanadium, du magnésium, un élément des terres rares et du manganèse selon un rapport prédéterminé dans les grains cristallins et en amenant une température de Curie dans une plage allant de 95 à 105 °C.
(JA) チタン酸バリウムを主成分とし、カルシウムと、バナジウムと、マグネシウムと、マンガンと、イットリウム、ディスプロシウム、ホルミウム、エルビウムおよびテルビウムから選ばれる少なくとも1種の希土類元素とが固溶したコアシェル構造の結晶粒子と、該結晶粒子間に存在する粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記結晶粒子に対して、バナジウム、マグネシウムおよび希土類元素およびマンガンをそれぞれ所定の割合で含有させて、キュリー温度を95~105°Cの範囲としたことにより、高誘電率かつ比誘電率の温度変化率を小さくできるとともに、絶縁抵抗の電圧依存性の小さい誘電体磁器を得ることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)