WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008123289) FILM DE NITRURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123289    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055679
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 26.03.2008
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
HIROSHIMA UNIVERSITY [JP/JP]; 3-2, Kagamiyama 1-chome, Higashi-Hiroshima-shi, Hiroshima 7390046 (JP) (Tous Sauf US).
MIYAZAKI, Seiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOHNO, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHITA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKANISHI, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIROTA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYAZAKI, Seiichi; (JP).
KOHNO, Masayuki; (JP).
NISHITA, Tatsuo; (JP).
NAKANISHI, Toshio; (JP).
HIROTA, Yoshihiro; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-079852 26.03.2007 JP
2007-254273 28.09.2007 JP
Titre (EN) SILICON NITRIDE FILM AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) FILM DE NITRURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a silicon nitride film having excellent charge storage performance effective as a charge storage layer for a semiconductor memory device. The silicon nitride film having substantially uniform trap density in the film thickness direction has high charge storage performance. The silicon nitride film is formed by plasma CVD by using a plasma processing apparatus (100) wherein microwaves are introduced into a chamber (1) by a flat antenna (31) having a plurality of holes. Plasma is generated by the microwaves by introducing a material gas, which contains a nitrogen containing compound and a silicon containing compound, into the chamber (1), and the silicon nitride film is deposited on the surface of a body to be processed by the plasma.
(FR)La présente invention concerne un film de nitrure de silicium présentant d'excellentes performances de stockage de charge et efficace comme couche de stockage de charge pour un dispositif de mémoire à semi-conducteurs. Le film de nitrure de silicium, qui a une densité de pièges sensiblement uniforme dans le sens de l'épaisseur du film, présente de hautes performances de stockage de charge. Le film de nitrure de silicium est formé par CVD par plasma à l'aide d'un appareil de traitement par plasma (100) dans lequel des micro-ondes sont introduites dans une chambre (1) par une antenne plate (31) comportant une pluralité de trous. Le plasma est généré par les micro-ondes en introduisant dans la chambre (1) un gaz de matière qui contient un composé contenant de l'azote et un composé contenant du silicium, puis le film de nitrure de silicium est déposé sur la surface d'un corps devant être traitée par le plasma.
(JA) 半導体メモリ装置の電荷蓄積層として有用な優れた電荷蓄積能力を有する窒化珪素膜が提供される。膜の厚さ方向に略均等なトラップ密度を有する窒化珪素膜は、高い電荷蓄積能力を有する。この窒化珪素膜は、複数の孔を有する平面アンテナ31によりチャンバー1内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置100を用い、チャンバー1内に窒素含有化合物と珪素含有化合物とを含む原料ガスを導入してマイクロ波によりプラズマを発生させ、該プラズマにより被処理体の表面に窒化珪素膜を堆積させるプラズマCVDによって成膜される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)