WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008123186) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPÉRATURE ÉLECTRONIQUE DANS LE PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123186    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055415
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 24.03.2008
CIB :
H05H 1/00 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. [JP/JP]; 6-4, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048439 (JP) (Tous Sauf US).
TAKIZAWA, Kazuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKIZAWA, Kazuki; (JP)
Mandataire : GLOBAL IP TOKYO; CARMEL II, 8-3-30 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-091308 30.03.2007 JP
Titre (EN) PLASMA ELECTRON TEMPERATURE MEASURING METHOD AND DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE MESURE DE TEMPÉRATURE ÉLECTRONIQUE DANS LE PLASMA
(JA) プラズマ電子温度の測定方法および装置
Abrégé : front page image
(EN)A laser beam with a wavelength capable of pumping atoms of helium in the metastable state is directed to a produced plasma, and atoms in the metastable state are excited. Absorption amount information representing the amount of laser beam absorbed is acquired, and the density of atoms of helium in the metastable state in the plasma is computed from the absorption amount. The emissions of light from helium gas in the plasma caused by transition from two different excited states to the lower level are measured, and the ratio between the intensities of the emissions is determined. The electron temperature of the produced plasma is computed from the computed density of the atoms of helium gas in the metastable state and the computed emission intensity ratio. With this, the plasma electron temperature can be computed with a relatively high accuracy irrespective of the condition of the plasma atmosphere.
(FR)Selon l'invention, un faisceau laser avec une longueur d'onde capable de pomper des atomes d'hélium dans l'état métastable est dirigé vers un plasma produit, et des atomes dans l'état métastable sont excités. Des informations de quantité d'absorption représentant la quantité de faisceau laser absorbée sont acquises, et la densité d'atomes d'hélium dans l'état métastable dans le plasma est calculée à partir de la quantité d'absorption. Les émissions de lumière à partir du gaz hélium dans le plasma provoquées par la transition de deux états excités différents au niveau inférieur sont mesurées, et le rapport entre les intensités des émissions est déterminé. La température électronique du plasma produit est calculée à partir de la densité calculée des atomes de gaz hélium dans l'état métastable et du rapport d'intensité d'émission calculé. Avec cela, la température électronique dans le plasma peut être calculée avec une précision relativement élevée indépendamment de la condition de l'atmosphère de plasma.
(JA) ヘリウムガスの準安定状態の原子を励起させる波長のレーザ光を、生成したプラズマに照射して、準安定状態の原子を励起させ、レーザ光の吸収量を表す吸収量情報を取得し、吸収量情報に基いて、プラズマ中におけるヘリウムガスの準安定状態の原子の密度を算出する。加えて、プラズマ中における、ヘリウムガスの異なる2つの励起状態からの下位準位遷移過程それぞれによる各発光を計測し、各発光の発光強度比を求める。その後、算出したヘリウムガスの準安定状態の原子の密度と、発光強度比とに基いて、生成したプラズマの電子温度を算出する。これにより、プラズマ雰囲気の条件によらず比較的高い精度で、プラズマの電子温度を算出することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)