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1. (WO2008123170) CIBLE DE PULVÉRISATION DE SnO2 ET FILM PULVÉRISÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123170    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055364
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 24.03.2008
CIB :
C23C 14/34 (2006.01), C04B 35/457 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01)
Déposants : MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584 (JP) (Tous Sauf US).
MORINAKA, Taizo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORINAKA, Taizo; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-088441 29.03.2007 JP
Titre (EN) SnO2 SPUTTERING TARGET AND SPUTTERED FILM
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION DE SnO2 ET FILM PULVÉRISÉ
(JA) SnO2系スパッタリングターゲットおよびスパッタ膜
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an SnO2 sputtering target having excellent flexural strength and substantially no flocculation phase, which enables to obtain a sputtered film having low film resistivity without a heat treatment as well as excellent heat resistance, while reducing abnormal discharge during sputtering. In addition, the sputtered film is small in resistivity change caused by a heat treatment performed later. Specifically disclosed is an SnO2 sputtering target which is composed of a sintered body containing 1.5-3.5% by mass of Ta2O5, 0.25-2% by mass of Nb2O5 and the balance of SnO2 and unavoidable impurities.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation de SnO2 ayant une excellente résistance à la flexion et sensiblement aucune phase de floculation, ce qui permet d'obtenir un film pulvérisé ayant une faible résistivité de film sans traitement thermique ainsi qu'une excellente résistance thermique, tout en réduisant une décharge anormale pendant la pulvérisation. De plus, le film pulvérisé a un faible changement de résistivité provoqué par un traitement thermique effectué de façon plus tardive. L'invention concerne spécifiquement une cible de pulvérisation de SnO2 qui est composée d'un corps fritté contenant 1,5-3,5% en masse de Ta2O5, 0,25-2% en masse de Nb2O5 et le reste de SnO2 et d'impuretés inévitables.
(JA) スパッタリング中の異常放電を低減しながら、加熱処理無しでも低い膜比抵抗を有し、なおかつその後の加熱処理による比抵抗変化が小さい、耐熱性に優れたスパッタ膜を得ることができる、抗折強度に優れ、なおかつ凝集相が実質的に無いSnO系スパッタリングターゲットが開示される。本発明のSnO系スパッタリングターゲットは、1.5~3.5質量%のTaと、0.25~2質量%のNbと、残部としてのSnOおよび不可避不純物とを含んでなる焼結体からなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)