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1. (WO2008123141) LAMINÉ SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU LAMINÉ SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123141    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055275
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 21.03.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.01.2009    
CIB :
H01L 29/26 (2006.01), C30B 23/08 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01), H01L 43/06 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : Asahi Kasei EMD Corporation [JP/JP]; 1-105 Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku Tokyo 1018101 (JP) (Tous Sauf US).
SHIBATA, Yoshihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAHARA, Masatoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIBATA, Yoshihiko; (JP).
MIYAHARA, Masatoshi; (JP)
Mandataire : TANI, Yoshikazu; 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-077724 23.03.2007 JP
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE, PROCESS FOR PRODUCING THE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) LAMINÉ SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU LAMINÉ SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 化合物半導体積層体及びその製造方法並びに半導体デバイス
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a compound semiconductor laminate, which can realize the formation of an InSb film on an Si substrate and can realize the application and development on a commercial scale to magnetic sensors such as hall elements and magnet resistance elements, optical devices such as infrared sensors, and electronic devices such as transistors, and a process for producing the compound semiconductor laminate. An active layer (2), which is an As-free compound semiconductor, is provided directly on the Si substrate (1). As is present in the interface of the active layer (2) and a single crystal layer of the Si substrate (1). The compound semiconductor contains at least nitrogen. The compound semiconductor is a thin film of a single crystal. The Si substrate (1) is a bulk single crystal substrate or a thin-film substrate of which the uppermost layer is formed of Si.
(FR)Cette invention concerne un laminé semi-conducteur composé, qui peut réaliser la formation d'un film Insb sur un substrat Si et peut réaliser l'application et le développement à l'échelle commerciale à des détecteurs magnétiques tels que des éléments à effet Hall et des éléments à magnétorésistance, des dispositifs optiques tels que des détecteurs infrarouges et des dispositifs électroniques tels que des transistors, et un procédé de fabrication du laminé semi-conducteur composé. Une couche active (2), qui est un semi-conducteur composé exempt de As, est disposée directement sur le substrat Si (1). Elle est également présente dans l'interface de la couche active (2) et d'une couche monocristalline du substrat Si (1). Le semi-conducteur composé contient au moins de l'azote. Le semi-conducteur composé est un film mince d'un seul cristal. Le substrat Si (1) est un substrat monocristallin massif ou un substrat en couches minces dont la couche la plus supérieure est formée de Si.
(JA) 本発明は、Si基板上にInSb膜を形成することを可能にし、ホール素子,磁気抵抗素子などの磁気センサや赤外センサなどの光デバイス、トランジスタなどの電子デバイスへの応用展開を工業的に提供可能にする化合物半導体積層体及びその製造方法に関する。Si基板(1)上に、Asを含まない化合物半導体である活性層(2)が直接形成されている。この活性層(2)とSi基板(1)の単結晶層の界面にAsが存在している。化合物半導体は、少なくとも窒素を含有する。化合物半導体は、単結晶薄膜である。Si基板(1)は、バルク単結晶基板又は最上層がSiである薄膜基板である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)