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1. (WO2008123132) APPAREIL DE GÉNÉRATION D'ONDES DE SURFACE ÉLASTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123132    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055247
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 21.03.2008
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
KADOTA, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KADOTA, Michio; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI, Chikara; 6F, Daido Seimei Bldg. 5-4, Tanimachi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400012 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-092127 30.03.2007 JP
Titre (EN) ELASTIC SURFACE WAVE APPARATUS
(FR) APPAREIL DE GÉNÉRATION D'ONDES DE SURFACE ÉLASTIQUES
(JA) 弾性表面波装置
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides an elastic surface wave apparatus, which is less likely to cause a variation in properties upon a temperature change, has a high reflection coefficient per electrode finger of IDT, and can easily narrow the band. In the elastic surface wave apparatus (1), an IDT electrode (3) and an SiO2 film (7) having the same thickness as an electrode finger in the IDT electrode (3) are provided on a piezoelectric substrate (2) formed of quartz of which the Euler angle is 0° ± 5°, 0° to 140°, and 0° ± 40°. A piezoelectric film formed of c axis-aligned ZnO film (4) is formed so as to cover the IDT electrode (3) and SiO2 film (7), and a Rayleigh wave is utilized as an elastic surface wave. The IDT electrode (3) is formed of a metallic material composed mainly of Au, Ta, W, Pt, Cu, Ni, and Mo. When the wavelength of the elastic surface wave is λ, the metal as a main constituent in the IDT electrode (3), the standardized film thickness standardized by λ of the IDT electrode (3), and the standardized film thickness standardized by λ of the ZnO film (4) fall within a range of individual combinations specified in Table 1 below. TABLE 1: AA METAL AS MAIN CONSTITUENT OF IDT ELECTRODE BB STANDARDIZED FILM THICKNESS OF IDT ELECTRODE CC STANDARDIZED FILM THICKNESS OF ZnO
(FR)Cette invention concerne un appareil de génération d'ondes de surface élastiques peu susceptible de provoquer un changement des propriétés lors d'une variation de température et qui a un coefficient de réflexion élevé par doigt d'électrode de IDT et peut facilement rétrécir la bande. Dans l'appareil de génération d'ondes de surfaces élastiques (1), une électrode IDT (3) et un film de SiO2 (7) ayant la même épaisseur qu'un doigt d'électrode dans l'électrode IDT (3) sont formés sur un substrat piézoélectrique (2) constitué de quartz dont l'angle d'Euler est de 0° ± 5°, 0° à 140° et 0° ± 40°, de façon à former une électrode IDT (3). Un film piézoélectrique, constitué d'un film de ZnO (4) aligné sur l'axe c, est formé de façon à couvrir l'électrode IDT (3) et le film de SiO2 (7), et une onde de Rayleigh est utilisée comme onde de surface élastique. L'électrode IDT (3) est formée dans un matériau métallique composé principalement de Au, Ta, W, Pt, Cu, Ni et Mo. Lorsque la longueur de l'onde de surface élastique est λ, le métal comme constituant principal dans l'électrode IDT(3), l'épaisseur du film standardisé par λ de l'électrode IDT (3) et l'épaisseur du film standardisé par λ du film de ZnO (4) s'inscrivent dans une plage de combinaisons individuelles spécifiées dans la Table 1 ci-après. Table 1: AA métal comme constituant principal de l'
(JA) 温度変化による特性の変動が生じ難く、IDTの電極指1本あたりの反射係数が高く、狭帯域化が容易な弾性表面波装置を得る。  オイラー角(0°±5°,0°~140°,0°±40°)である水晶からなる圧電基板2上に、IDT電極3及びIDT電極3の電極指と同じ厚みのSiO膜7が形成されており、IDT電極3及びSiO膜7を覆うようにc軸配向のZnO膜4からなる圧電膜が形成されており、弾性表面波としてレイリー波が利用されており、前記IDT電極3が、Au、Ta、W、Pt、Cu、NiまたはMoを主体とする金属材料からなり、弾性表面波の波長をλとした場合、IDT電極3において主体となる金属と、IDT電極3のλで規格化してなる規格化膜厚と、ZnO膜4のλで規格化してなる規格化膜厚とが、下記の表1で示す各組み合わせの範囲内とされている弾性表面波装置1。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)