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1. (WO2008123078) THERMISTANCE LAMINÉE À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123078    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/054997
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 18.03.2008
CIB :
H01C 7/02 (2006.01)
Déposants : Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
MIHARA, Kenjiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KISHIMOTO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIHARA, Kenjiro; (JP).
KISHIMOTO, Atsushi; (JP)
Mandataire : KUNIHIRO, Yasutoshi; 10F, Katokichi shinosaka Bldg. 14-10, Nishinakajima 5-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-070206 19.03.2007 JP
Titre (EN) LAMINATED POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTOR
(FR) THERMISTANCE LAMINÉE À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF
(JA) 積層正特性サーミスタ
Abrégé : front page image
(EN)A laminated positive temperature coefficient thermistor is provided with a ceramic element (1) wherein semiconductor ceramic layers (3a-3e), each of which has BaTiO3 as a main component and contains an agent to make material semiconductive, and a plurality of internal electrodes (4a-4d) are alternately laminated, and the outermost layers are formed of semiconductor ceramic layers (3a, 3e). The outermost layers form protection layers (5), and an effective layer (6) is formed by the semiconductor ceramic layers sandwiched between the internal electrodes (4a, 4d). The protection layer (5) contains an agent for making material semiconductive, and the agent has an ion radius larger than that of the agent contained in the effective layer (6), and a hole ratio of the protection layer (5) is lower than that of the effective layer (6). Preferably, a glass film is formed in the hole on the surface of the protection layer (5) to have the hole ratio of the protection layer (5) 10% of below. Thus, entry of flux into the semiconductor ceramic layer is eliminated without generating delamination, and a desired resistance change rate is ensured.
(FR)L'invention concerne une thermistance laminée à coefficient de température positif qui comporte un élément en céramique (1) dans lequel des couches en céramique semi-conductrices (3a-3e), dont chacune a BaTiO3 en tant que composant principal et contient un agent pour rendre le matériau semi-conducteur, et une pluralité d'électrodes internes (4a-4d) sont laminées de façon alternée, et les couches les plus à l'extérieur sont formées de couches en céramique semi-conductrices (3a, 3e). Les couches les plus à l'extérieur forment des couches de protection (5), et une couche effective (6) est formée par les couches en céramique semi-conductrices prises en sandwich entre les électrodes internes (4a, 4d). La couche de protection (5) contient un agent pour rendre le matériau semi-conducteur, et l'agent a un rayon ionique plus grand que celui de l'agent contenu dans la couche effective (6), et une proportion de trous de la couche de protection (5) est inférieure à celle de la couche effective (6). De préférence, un film en verre est formé dans le trou sur la surface de la couche de protection (5) pour avoir la proportion de trous de la couche de protection (5) de 10 % au moins. Ainsi, l'entrée de flux dans la couche en céramique semi-conductrice est éliminée dans générer de délamination, et un taux de variation de résistance désiré est assuré.
(JA) 主成分がBaTiOで形成されると共に半導体化剤を含有した半導体セラミック層3a~3eと、内部電極4a~4dとが交互に複数積層され、かつ最外層が半導体セラミック層3a、3eで形成されたセラミック素体1を有している。そして、最外層が保護層5を形成すると共に、内部電極4a、4d間に挟まれた複数の前記半導体セラミック層で有効層6を形成する。保護層5は、有効層6に含有される半導体化剤よりも大きなイオン半径を有する半導体化剤を含有し、保護層5の空孔率が有効層6の空孔率よりも低減されている。好ましくは保護層5表面の空孔にガラス膜を形成し、保護層5の空孔率を10%以下とする。これにより、デラミネーションが生じることもなく、半導体セラミック層へのフラックスの浸入を防止し、所望の抵抗変化率を確保することのできる積層正特性サーミスタを実現する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)