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1. (WO2008122957) DÉPÔT DE COUCHES À FORTE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE, DOPÉES AU TANTALE OU AU NIOBIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/122957    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/051326
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 08.04.2008
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), C07F 9/00 (2006.01)
Déposants : L'AIR LIQUIDE - SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75, Quai d'Orsay, F-75321 Paris Cedex 07 (FR) (Tous Sauf US).
DUSSARRAT, Christian [FR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DUSSARRAT, Christian; (US)
Données relatives à la priorité :
60/910,522 07.04.2007 US
12/099,027 07.04.2008 US
Titre (EN) DEPOSITION OF TA- OR NB-DOPED HIGH-K FILMS
(FR) DÉPÔT DE COUCHES À FORTE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE, DOPÉES AU TANTALE OU AU NIOBIUM
Abrégé : front page image
(EN)Methods and compositions for depositing high-k films are disclosed herein. In general, the disclosed methods utilize precursor compounds comprising Ta or Nb. More specifically, the disclosed precursor compounds utilize certain ligands coupled to Ta and/or Nb such as 1-methoxy-2-methyl-2-propanolate (mmp) to increase volatility. Furthermore, methods of depositing Ta or Nb compounds are disclosed in conjunction with use of Hf and/or Zr precursors to deposit Ta-doped or Nb-doped Hf and/or Zr films. The methods and compositions may be used in CVD, ALD, or pulsed CVD deposition processes.
(FR)La présente invention concerne des procédés et compositions pour le dépôt de couches à forte constante diélectrique. D'une façon générale, les procédés de l'invention utilisent des composés précurseurs au tantale ou au niobium. De façon plus spécifique, les composés précurseurs de l'invention utilisent certains ligands couplés au tantale et/ou au niobium tel que le 1-méthoxy-2-méthyl-2-propanolate (mmp) pour augmenter la volatilité. L'invention concerne enfin des procédés de dépôt de composés au tantale ou au niobium conjointement avec l'utilisation de hafnium et/ou de zirconium pour le dépôt de couches de hafnium et/ou de zirconium dopées au tantale ou au niobium. Les procédés et compositions de l'invention conviennent pour le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), éventuellement pulsé, ou le dépôt de couche atomique (ALD).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)