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1. (WO2008122884) COMPOSITION DE REVÊTEMENT SUR UN MOTIF DE PHOTORÉSIST COMPRENANT UNE LACTAME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/122884    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/000908
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 09.04.2008
CIB :
C09D 139/00 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01)
Déposants : AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue Somerville, NJ 08876 (US)
Inventeurs : THIYAGARAJAN, Muthiah; (US).
DAMMEL, Ralph, R.; (US).
CAO, Yi; (US).
HONG, SungEun; (US).
KANG, WenBing; (JP).
ANYADIEGWU, Clement; (US)
Données relatives à la priorité :
11/697,804 09.04.2007 US
Titre (EN) A COMPOSITION FOR COATING OVER A PHOTORESIST PATTERN COMPRISING A LACTEM
(FR) COMPOSITION DE REVÊTEMENT SUR UN MOTIF DE PHOTORÉSIST COMPRENANT UNE LACTAME
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an aqueous coating composition for coating a photoresist pattern comprising a polymer containing a lactam group of structure (1) where R1 is independently selected hydrogen, C1-C4 alkyl, C1-C-6 alkyl alcohol, hydroxy (OH), amine (NH2), carboxylic acid, and amide (CONH2), represents the attachment to the polymer, m=1-6, and n=1-4. The present invention also relates to a process for manufacturing a microelectronic device.
(FR)La présente invention concerne une composition de revêtement aqueuse destinée à revêtir un motif de photorésist comprenant un polymère contenant un groupe lactame de structure (1) dans laquelle R1 est indépendamment sélectionné dans hydrogène, C1-C4 alkyle, alcool C1-C-6 alkyle, hydroxy (OH), amine (NH2), acide carboxylique, et amide (CONH2), ~~ represente la liaison au polymère, m=1-6, et n=1-4. La présente invention concerne aussi un processus de fabrication de dispositif micro-électronique qui consiste à prendre un substrat avec un motif de photorésist, à revêtir le motif de photorésiste avec le nouveau matériau de revêtement, a faire réagir une partie du matériau de revêtement en contact avec le motif de photorésist, et à retirer une partie du matériau de revêtement qui n'a pas réagi avec une solution de suppression.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)