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1. (WO2008122778) AMÉLIORATIONS AU SEIN DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/122778    N° de la demande internationale :    PCT/GB2008/001188
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 01.04.2008
CIB :
H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED [GB/GB]; Electrical and Electronic Engineering Building, Level 12, Imperial College, Exhibition Road, London SW7 2AZ (GB) (Tous Sauf US).
ANTHOPOULOS, Thomas [GR/GB]; (GB) (US Seulement).
BRADLEY, Donal, Donat, Conor [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : ANTHOPOULOS, Thomas; (GB).
BRADLEY, Donal, Donat, Conor; (GB)
Mandataire : PITCHFORD, James, Edward; Kilburn & Strode, 20 Red Lion Street, London WC1R 4PJ (GB)
Données relatives à la priorité :
0706756.4 05.04.2007 GB
Titre (EN) IMPROVEMENTS IN ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS
(FR) AMÉLIORATIONS AU SEIN DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An organic field-effect transistor comprising: a source region; a drain region; one or more organic semiconductor layers disposed between the source and drain regions; a gate region; and a dielectric region disposed between the organic semiconductor layer(s) and the gate region; wherein the composition of the organic semiconductor layer(s) is such as to transport both electrons and holes, with the mobility of the holes being substantially equal to the mobility of the electrons such that the transistor substantially exhibits ambipolarity in its transfer characteristics. The organic field-effect transistor is preferably a light-sensing organic field-effect transistor. Numerous modifications to the composition and structure of organic field-effect transistors are also disclosed, as are examples of electro-optical switches, electro-optical logic circuits and image sensing arrays.
(FR)Transistor à effet de champ organique qui comprend : une région de source; une région de drain; une ou plusieurs couches de semi-conducteurs organiques disposées entre les régions de source et de drain; une région de grille; et une région diélectrique disposée entre les couches de semi-conducteurs organiques et la région de grille; la composition des couches de semi-conducteurs organiques étant telle qu'elle transporte des électrons et des trous, la mobilité des trous étant sensiblement égale à la mobilité des électrons afin que le transistor présente sensiblement une ambipolarité dans ses caractéristiques de transfert. Le transistor à effet de champ organique est de préférence un transistor à effet de champ organique détectant la lumière. Plusieurs modifications de la composition et de la structure des transistors à effet de champ organiques sont également décrites, tout comme des exemples de commutateurs électro-optiques, de circuits logiques électro-optiques et de capteurs d'images.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)