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1. (WO2008122632) CIRCUIT CMOS DE POMPE DE CHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/122632    N° de la demande internationale :    PCT/EP2008/054177
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 07.04.2008
CIB :
H03L 7/089 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH [DE/DE]; Haggertystrasse 1, 85356 Freising (DE) (Tous Sauf US).
RUCK, Bernhard Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GERBER, Johannes [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : RUCK, Bernhard Wolfgang; (DE).
GERBER, Johannes; (DE)
Mandataire : HOLT, Michael; 800 Pavilion Drive, Northampton Business Park, Northampton, Northamptonshire NN4 7YL (GB)
Données relatives à la priorité :
10 2007 016 523.6 05.04.2007 DE
Titre (EN) CHARGE PUMP CMOS CIRCUIT
(FR) CIRCUIT CMOS DE POMPE DE CHARGE
Abrégé : front page image
(EN)A charge pump CMOS circuit comprises a differential input stage with two parallel circuitbranches. Each of the parallelcircuitbranches has a diode-connected MOS transistor (MP3,MP4) connected in series with a complementary input MOS transistor (MNO,MNl). There is a common tail current source (IB) for both circuit branches. The diode-connected MOS transistors (MP3,MP4) each have their gate/drain node connected to corresponding current sources (I1, I2). The charge pump CMOS circuitis suitable for use in an oscillator.
(FR)L'invention concerne un circuit CMOS de pompe de charge qui comprend un étage d'entrée différentiel comportant deux branches de circuit parallèles. Dans chacune des branches de circuit parallèles, un transistor MOS (MP3,MP4) monté en diode est relié en série à un transistor MOS d'entrée complémentaire (MNO,MNl). Les deux branches de circuit sont alimentées par une source de courant de queue (IB) commune. Les noeuds de grille/drain des transistors MOS montés en diode (MP3,MP4) sont reliés à des sources de courant correspondantes (I1, I2). Les circuits CMOS de pompe de charge de l'invention sont aptes à être utilisés dans un oscillateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)