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1. (WO2008122204) LIQUIDE DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE POUR SILICIUM POLYCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/122204    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/000683
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 03.04.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.01.2009    
CIB :
C09G 1/02 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; Suite 613-618, Building#5 No.300O Longdong Ave Zhangjiang Hi-Tech park Pudong, Shanghai 201203 (CN) (Tous Sauf US).
JING, Judy, Jianfen [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
YANG, Andy, Chunxiao [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : JING, Judy, Jianfen; (CN).
YANG, Andy, Chunxiao; (CN)
Mandataire : HANHONG LAW FIRM; Room 1505 New Huang Pu Financial Building No. 61 East Nanjing Road Shanghai 200002 (CN)
Données relatives à la priorité :
200710039245.5 06.04.2007 CN
Titre (EN) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING LIQUID FOR POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) LIQUIDE DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE POUR SILICIUM POLYCRISTALLIN
(ZH) 多晶硅化学机械抛光液
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a chemical mechanical polishing liquid for polycrystalline silicon, which contains polyol-type nonionic surfactant, guanidines compound, abrasive particles and water. The polishing liquid of the invention can polish polycrystalline silicon film better under basic conditions. Inter alia, the polyol-type nonionic surfactant can reduce evidently the removal rate of polycrystalline silicon without reducing the remove rate of silicon dioxide, thereby remarkably decreasing the selectivity ratio of polycrystalline silicon to silicon dioxide. Guanidines compound can be used to adjust the selectivity ratio of polycrystalline silicon to silicon dioxide, and it simultaneously has a function of adjusting pH. It allows the polishing liquid of the invention adding none of common pH regulator, and reduces the contamination of metal ions and environmental pollution greatly.
(FR)L'invention concerne un liquide de polissage chimico-mécanique pour silicium polycristallin, contenant un tensioactif non ionique de type polyol, un composé de guanidine, des particules abrasives et de l'eau. Le liquide de polissage selon l'invention permet de polir un film de silicium polycristallin mieux que dans des conditions de basicité. Le tensioactif non ionique de type polyol peut réduire sensiblement le taux d'élimination de silicium polycristallin sans réduire le taux d'élimination de dioxyde de silicium, ce qui réduit de façon considérable le rapport de sélectivité silicium polycristallin/dioxyde de silicium. Le composé de guanidine peut être utilisé pour ajuster le rapport de sélectivité silicium polycristallin/dioxyde de silicium et il présente simultanément la fonction d'ajustement du pH. Il n'est donc pas nécessaire d'ajouter au liquide de polissage selon l'invention un régulateur de pH commun. Ce liquide de polissage permet également de réduire considérablement la contamination par ions métalliques et la pollution environnementale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)