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1. (WO2008121980) TRANSISTORS À MOBILITÉ D'ÉLECTRONS ÉLEVÉE À FACE N AVEC FAIBLES FUITES AU NIVEAU DU TAMPON ET FAIBLE RÉSISTANCE PARASITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/121980    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058938
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 31.03.2008
CIB :
H01L 29/00 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, California 94607 (US) (Tous Sauf US).
MISHRA, Umesh Kumar [US/US]; (US) (US Seulement).
PEI, Yi [CN/US]; (US) (US Seulement).
RAJAN, Siddharth [IN/US]; (US) (US Seulement).
WONG, Man Hoi [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MISHRA, Umesh Kumar; (US).
PEI, Yi; (US).
RAJAN, Siddharth; (US).
WONG, Man Hoi; (US)
Mandataire : GATES, George H.; Gates & Cooper LLP, 6701 Center Drive West, Suite 1050, Los Angeles, California 90045 (US)
Données relatives à la priorité :
60/908,914 29.03.2007 US
Titre (EN) N-FACE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH LOW BUFFER LEAKAGE AND LOW PARASITIC RESISTANCE
(FR) TRANSISTORS À MOBILITÉ D'ÉLECTRONS ÉLEVÉE À FACE N AVEC FAIBLES FUITES AU NIVEAU DU TAMPON ET FAIBLE RÉSISTANCE PARASITE
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating nitrogen-face (N-face) nitride-based electronic devices with low buffer leakage, comprising isolating a buffer from a substrate with an AlGaInN nucleation layer to suppress impurity incorporation from the substrate into the buffer. A method for fabricating N-face nitride-based electronic devices with low parasitic resistance and high breakdown, comprising capping a device structure with a conductive layer to provide extremely low access and/or contact resistances, is also disclosed.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs électroniques à base de nitrure à face azote (face N), présentant des fuites réduites au niveau du tampon, ce procédé consistant à isoler un tampon d'un substrat par une couche de nucléation AlGaInN afin de supprimer l'incorporation d'impuretés provenant du substrat dans le tampon. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication de dispositifs électroniques à base de nitrure à face N présentant une faible résistance parasite et un seuil de rupture élevé, consistant à coiffer la structure d'un dispositif avec une couche conductrice afin de produire des résistances d'accès et/ou de contact extrêmement faibles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)